公开(公告)号：US06900502B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10407761

申请日：2003-04-03

申请人： Chung-Hu Ge ,  Chao-Hsuing Wang ,  Chien-Chao Huang ,  Wen-Chin Lee ,  Chenming Hu

发明人： Chung-Hu Ge ,  Chao-Hsuing Wang ,  Chien-Chao Huang ,  Wen-Chin Lee ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L29/02 ,  H01L29/72 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7848

摘要： A semiconductor device 10 includes a substrate 12 (e.g., a silicon substrate) with an insulating layer 14 (e.g., an oxide such as silicon dioxide) disposed thereon. A first semiconducting material layer 16 (e.g., SiGe) is disposed on the insulating layer 14 and a second semiconducting material layer 18 (e.g., Si) is disposed on the first semiconducting material layer 16. The first and second semiconducting material layers 16 and 18 preferably have different lattice constants such that the first semiconducting material layer 16 is compressive and the second semiconducting material layer is tensile 18.

摘要翻译： 半导体器件10包括其上设置有绝缘层14（例如氧化物如二氧化硅）的衬底12（例如，硅衬底）。 第一半导体材料层16（例如，SiGe）设置在绝缘层14上，并且第二半导体材料层18（例如，Si）设置在第一半导体材料层16上。 第一和第二半导体材料层16和18优选地具有不同的晶格常数，使得第一半导体材料层16是压缩的，并且第二半导体材料层是拉伸18。