公开(公告)号：US08330169B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13177551

申请日：2011-07-06

申请人： Wen-Chau Liu ,  Huey-Ing Chen ,  Tsung-Han Tsai ,  Tai-You Chen ,  Chung-Fu Chang ,  Chi-Hsiang Hsu

发明人： Wen-Chau Liu ,  Huey-Ing Chen ,  Tsung-Han Tsai ,  Tai-You Chen ,  Chung-Fu Chang ,  Chi-Hsiang Hsu

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： G01N27/125

摘要： The present invention is a multi-gas sensor and a method for fabricating the multi-gas sensor.The multi-gas sensor comprises a substrate, an epitaxial layer, a metal oxide layer, a first metal layer, a second metal layer and multiple third metal layers.The method for fabricating the multi-gas sensor comprises steps of forming an epitaxial layer on a substrate; etching the epitaxial layer to form a first epitaxial structure and a second epitaxial structure a fixed distance from the first epitaxial structure; forming a metal oxide layer on the first epitaxial structure; forming a first metal layer that has at least two metal layers on the second epitaxial structure; forming a second metal layer a fixed distance from the first metal layer on the second epitaxial structure; forming third metal layers respectively on the metal oxide layer, the first metal layer and the second metal layer.

摘要翻译： 本发明是一种多气体传感器和多气体传感器的制造方法。 多气体传感器包括衬底，外延层，金属氧化物层，第一金属层，第二金属层和多个第三金属层。 制造多气体传感器的方法包括在基板上形成外延层的步骤; 蚀刻所述外延层以形成与所述第一外延结构固定距离的第一外延结构和第二外延结构; 在所述第一外延结构上形成金属氧化物层; 在所述第二外延结构上形成具有至少两个金属层的第一金属层; 在所述第二外延结构上形成与所述第一金属层固定距离的第二金属层; 在金属氧化物层，第一金属层和第二金属层上分别形成第三金属层。

公开(公告)号：US20120007099A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13177551

申请日：2011-07-06

申请人： Wen-Chau Liu ,  Huey-Ing Chen ,  Tsung-Han Tsai ,  Tai-You Chen ,  Chung-Fu Chang ,  Chi-Hsiang Hsu

发明人： Wen-Chau Liu ,  Huey-Ing Chen ,  Tsung-Han Tsai ,  Tai-You Chen ,  Chung-Fu Chang ,  Chi-Hsiang Hsu

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： G01N27/125

摘要： The present invention is a multi-gas sensor and a method for fabricating the multi-gas sensor.The multi-gas sensor comprises a substrate, an epitaxial layer, a metal oxide layer, a first metal layer, a second metal layer and multiple third metal layers.The method for fabricating the multi-gas sensor comprises steps of forming an epitaxial layer on a substrate; etching the epitaxial layer to form a first epitaxial structure and a second epitaxial structure a fixed distance from the first epitaxial structure; forming a metal oxide layer on the first epitaxial structure; forming a first metal layer that has at least two metal layers on the second epitaxial structure; forming a second metal layer a fixed distance from the first metal layer on the second epitaxial structure; forming third metal layers respectively on the metal oxide layer, the first metal layer and the second metal layer.

摘要翻译： 本发明是一种多气体传感器和多气体传感器的制造方法。 多气体传感器包括衬底，外延层，金属氧化物层，第一金属层，第二金属层和多个第三金属层。 制造多气体传感器的方法包括在基板上形成外延层的步骤; 蚀刻所述外延层以形成与所述第一外延结构固定距离的第一外延结构和第二外延结构; 在所述第一外延结构上形成金属氧化物层; 在所述第二外延结构上形成具有至少两个金属层的第一金属层; 在所述第二外延结构上形成与所述第一金属层固定距离的第二金属层; 在金属氧化物层，第一金属层和第二金属层上分别形成第三金属层。

公开(公告)号：US20110290003A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13115696

申请日：2011-05-25

申请人： Wen-Chau Liu ,  Huey-Ing Chen ,  Tai-You Chen ,  Tsung-Han Tsai ,  I-Ping Liu ,  Chi-Hsiang Hsu

发明人： Wen-Chau Liu ,  Huey-Ing Chen ,  Tai-You Chen ,  Tsung-Han Tsai ,  I-Ping Liu ,  Chi-Hsiang Hsu

IPC分类号： G01N33/00 ,  B05D5/12 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C30B7/10 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/602 ,  G01N27/127

摘要： A gas sensor includes a substrate; a seed layer positioned on the substrate; a zinc-oxide nanostructure formed on the seed layer; a metal nanoparticle formed on the zinc-oxide nanostructure; a first electrode positioned on the zinc-oxide nanostructure; and a second electrode positioned on the zinc-oxide nanostructure apart from the first electrode to electrically connect to the first electrode.

摘要翻译： 气体传感器包括基板; 位于所述基底上的种子层; 形成在种子层上的氧化锌纳米结构; 形成在氧化锌纳米结构上的金属纳米颗粒; 位于氧化锌纳米结构上的第一电极; 以及第二电极，其位于距离第一电极的氧化锌纳米结构上，以电连接到第一电极。