公开(公告)号：US07592663B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US11540991

申请日：2006-09-28

申请人： Tae-Whan Kim ,  Young-Ho Kim ,  Chong-Seung Yoon ,  Jae-Ho Kim ,  Jae-Hun Jung ,  Sung-Keun Lim ,  Mun-Seop Song

发明人： Tae-Whan Kim ,  Young-Ho Kim ,  Chong-Seung Yoon ,  Jae-Ho Kim ,  Jae-Hun Jung ,  Sung-Keun Lim ,  Mun-Seop Song

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/779 ,  Y10S977/943

摘要： A flash memory device with a nanoscale floating gate and a method of manufacturing thereof are disclosed. At least one embodiment of the present invention provides a much simpler and easier method of manufacturing nanocrystals (or nanocrystallines) for the flash memory device than the conventional method. Since the nanocrystals are homogeneously dispersed as a polymer layer without agglomeration, size and density of the nanoparticles may be controlled. Additionally, one embodiment of the present invention provides memory devices with nanoscale floating gates, and related methods of manufacture, of high efficiency and cost effectiveness by employing electrically and chemically more stable nanoscale floating gates compared to conventional ones.

摘要翻译： 公开了一种具有纳米级浮动栅极的闪存器件及其制造方法。 本发明的至少一个实施例提供了制造用于闪速存储器件的纳米晶体（或纳米晶体）的方法比常规方法简单和容易的方法。 由于纳米晶体作为聚合物层均匀分散而没有附聚，因此可以控制纳米颗粒的尺寸和密度。 另外，本发明的一个实施例通过与常规浮动栅极相比采用电化学和化学更稳定的纳米尺度浮动栅极提供具有纳米级浮动栅极的存储器件以及相关的制造方法，其具有高效率和成本效益。

公开(公告)号：US07022628B2

公开(公告)日：2006-04-04

申请号：US10697587

申请日：2003-10-29

申请人： Young-Ho Kim ,  Yoon Chung ,  Hyoung-Jun Jeon ,  Hwan-Pil Park ,  Chong-Seung Yoon

发明人： Young-Ho Kim ,  Yoon Chung ,  Hyoung-Jun Jeon ,  Hwan-Pil Park ,  Chong-Seung Yoon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C23C14/14 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5873 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/90

摘要： Disclosed herein is a method for forming quantum dots, comprising the steps of (a) depositing a metal thin layer onto a substrate, (b) coating a dielectric precursor onto the metal thin layer, and (c) stepwisely heating the resultant substrate; or a method for forming quantum dots, comprising the steps of (a) mixing a dielectric precursor diluted in a solvent and a metal powder and stirring the mixture, (b) coating the mixture onto a substrate, and (c) heating the resultant substrate. The method can easily control the size, density and uniformity of metal oxide quantum dots.

摘要翻译： 本文公开了一种形成量子点的方法，包括以下步骤：（a）将金属薄层沉积在基底上，（b）将电介质前体涂覆在金属薄层上，和（c）逐步加热所得基底; 或形成量子点的方法，包括以下步骤：（a）将在溶剂中稀释的电介质前体和金属粉末混合并搅拌该混合物，（b）将该混合物涂布到基底上，和（c）加热所得基底 。 该方法可以容易地控制金属氧化物量子点的尺寸，密度和均匀性。

公开(公告)号：US20070034933A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11540991

申请日：2006-09-28

申请人： Tae-Whan Kim ,  Young-Ho Kim ,  Chong-Seung Yoon ,  Jae-Ho Kim ,  Jae-Hun Jung ,  Sung-Keun Lim ,  Mun-Seop Song

发明人： Tae-Whan Kim ,  Young-Ho Kim ,  Chong-Seung Yoon ,  Jae-Ho Kim ,  Jae-Hun Jung ,  Sung-Keun Lim ,  Mun-Seop Song

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/777 ,  Y10S977/779 ,  Y10S977/943

摘要： A flash memory device with a nanoscale floating gate and a method of manufacturing thereof are disclosed. At least one embodiment of the present invention provides a much simpler and easier method of manufacturing nanocrystals (or nanocrystallines) for the flash memory device than the conventional method. Since the nanocrystals are homogeneously dispersed as a polymer layer without agglomeration, size and density of the nanoparticles may be controlled. Additionally, one embodiment of the present invention provides memory devices with nanoscale floating gates, and related methods of manufacture, of high efficiency and cost effectiveness by employing electrically and chemically more stable nanosacle floating gates compared to conventional ones.

摘要翻译： 公开了一种具有纳米级浮动栅极的闪存器件及其制造方法。 本发明的至少一个实施例提供了制造用于闪速存储器件的纳米晶体（或纳米晶体）的方法比常规方法简单和容易的方法。 由于纳米晶体作为聚合物层均匀分散而没有附聚，因此可以控制纳米颗粒的尺寸和密度。 此外，本发明的一个实施例通过采用电化学和化学更稳定的纳米级浮动栅极提供具有纳米级浮动栅极的存储器件以及相关的制造方法，其具有高效率和成本效益。

公开(公告)号：US07615446B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11580102

申请日：2006-10-13

申请人： Tae-whan Kim ,  Young-ho Kim ,  Jae-ho Kim ,  Jea-hun Jung ,  Chong-seung Yoon

发明人： Tae-whan Kim ,  Young-ho Kim ,  Jae-ho Kim ,  Jea-hun Jung ,  Chong-seung Yoon

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/7887

摘要： In one aspect, a charge trap flash memory device is provided which includes a semiconductor substrate, source and drain regions which are spaced apart in an active region of the semiconductor substrate to define a channel region therebetween, a tunneling dielectric layer located on the channel region, an organic polymer thin film located on the tunneling dielectric layer, metal or metal oxide nano-crystals embedded in the organic polymer thin film, and a gate located on the organic polymer thin film.

摘要翻译： 一方面，提供了一种电荷阱闪存器件，其包括半导体衬底，在半导体衬底的有源区域中间隔开的源极和漏极区域，以在其间限定沟道区域，位于沟道区域上的隧道电介质层 位于隧道电介质层上的有机聚合物薄膜，嵌入有机聚合物薄膜中的金属或金属氧化物纳米晶体，以及位于有机聚合物薄膜上的栅极。

公开(公告)号：US20070102750A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11580102

申请日：2006-10-13

申请人： Tae-whan Kim ,  Young-ho Kim ,  Jae-ho Kim ,  Jea-hun Jung ,  Chong-seung Yoon

发明人： Tae-whan Kim ,  Young-ho Kim ,  Jae-ho Kim ,  Jea-hun Jung ,  Chong-seung Yoon

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/7887

摘要： In one aspect, a charge trap flash memory device is provided which includes a semiconductor substrate, source and drain regions which are spaced apart in an active region of the semiconductor substrate to define a channel region therebetween, a tunneling dielectric layer located on the channel region, an organic polymer thin film located on the tunneling dielectric layer, metal or metal oxide nano-crystals embedded in the organic polymer thin film, and a gate located on the organic polymer thin film.

摘要翻译： 一方面，提供了一种电荷阱闪存器件，其包括半导体衬底，在半导体衬底的有源区域中间隔开的源极和漏极区域，以在其间限定沟道区域，位于沟道区域上的隧道电介质层 位于隧道电介质层上的有机聚合物薄膜，嵌入有机聚合物薄膜中的金属或金属氧化物纳米晶体，以及位于有机聚合物薄膜上的栅极。