公开(公告)号：US08030173B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12475056

申请日：2009-05-29

申请人： Michael D. Turner ,  Christopher J. Rando

发明人： Michael D. Turner ,  Christopher J. Rando

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/76283

摘要： A semiconductor process and apparatus provides an encapsulated shallow trench isolation region by forming a silicon nitride layer (96) to cover a shallow trench isolation region (95), depositing a protective dielectric layer (97, 98) over the silicon nitride layer (96), and polishing and densifying the protective dielectric layer (97, 98) to thereby form a densified silicon nitride encapsulation layer (99) over the shallow trench isolation region (95).

摘要翻译： 半导体工艺和装置通过形成氮化硅层（96）以覆盖浅沟槽隔离区（95），在氮化硅层（96）上沉积保护介电层（97,98）来提供封装的浅沟槽隔离区域， ，并抛光和致密化保护介电层（97,98），从而在浅沟槽隔离区域（95）上形成致密化的氮化硅封装层（99）。

公开(公告)号：US20100304548A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12475056

申请日：2009-05-29

申请人： Michael D. Turner ,  Christopher J. Rando

发明人： Michael D. Turner ,  Christopher J. Rando

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/76283

摘要： A semiconductor process and apparatus provides an encapsulated shallow trench isolation region by forming a silicon nitride layer (96) to cover a shallow trench isolation region (95), depositing a protective dielectric layer (97, 98) over the silicon nitride layer (96), and polishing and densifying the protective dielectric layer (97, 98) to thereby form a densified silicon nitride encapsulation layer (99) over the shallow trench isolation region (95).

摘要翻译： 半导体工艺和装置通过形成氮化硅层（96）以覆盖浅沟槽隔离区（95），在氮化硅层（96）上沉积保护介电层（97,98）来提供封装的浅沟槽隔离区域， ，并抛光和致密化保护介电层（97,98），从而在浅沟槽隔离区域（95）上形成致密化的氮化硅封装层（99）。