公开(公告)号：US5914499A

公开(公告)日：1999-06-22

申请号：US716252

申请日：1997-03-05

申请人： Willy Hermansson ,  Lennart Ramberg ,  Dag Sigurd

发明人： Willy Hermansson ,  Lennart Ramberg ,  Dag Sigurd

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/76 ,  H01L29/12 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0312 ,  H01L29/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/7602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  Y10S438/931

摘要： The invention relates to a method in which proton or ion implantation is used for restructuring a silicon carbide region from being conductive to being resistive and wherein this implantation method is used for manufacturing a semiconductor device which comprises a p-n junction where both the p-conductive and the n-conductive layers are designed as doped layers of silicon carbide (SiC), whereby the implantation method is used for at least one of the steps passivation of a silicon carbide surface of the device with a semi-insulating layer, definition of the area of the p-n junction during manufacture, termination of the edges of the p-n junction by means of a semi-insulating layer, creation of a positive edge angle at the edge of the p-n junction, and insulation of different devices from one another during manufacture of a plurality of devices on one and the same wafer of silicon carbide, wherein the invention also relates to the implantation method proper.

摘要翻译： PCT No.PCT / SE96 / 00034 Sec。 371日期1997年3月5日 102（e）1997年3月5日PCT PCT 1996年1月17日PCT公布。 出版物WO96 / 22610 PCT 日期：1996年7月25日本发明涉及一种方法，其中使用质子或离子注入来将碳化硅区域从导电重整为电阻，并且其中该注入方法用于制造半导体器件，该半导体器件包括pn结，其中两者 p导电层和n导电层被设计为碳化硅（SiC）的掺杂层，由此将注入方法用于至少一个步骤中钝化具有半绝缘层的器件的碳化硅表面 ，制造期间pn结的面积的定义，通过半绝缘层终止pn结的边缘，在pn结的边缘处产生正边缘角以及将不同的器件与一个绝缘体的绝缘 另一个在制造同一碳化硅晶片上的多个器件的过程中，其中本发明还涉及本发明的植入方法。