公开(公告)号：US20110318502A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12972602

申请日：2010-12-20

申请人： Kathrine Giles ,  Andrew Price ,  Stephen Robert Burgess ,  Daniel Thoms Archard

发明人： Kathrine Giles ,  Andrew Price ,  Stephen Robert Burgess ,  Daniel Thoms Archard

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/505

CPC分类号： C23C16/402 ,  C23C16/509 ,  C23C16/56

摘要： This invention relates to a method of depositing an inorganic SiO2 film at temperatures below 250° C. using plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) in a chamber including supplying tetraethylorthosilicate (TEOS) and O2, or a source thereof, as precursors, with an O2/TEOS ratio of between 15:1 and 25:1.

摘要翻译： 本发明涉及一种在室温下使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在低于250℃的温度下沉积无机SiO 2膜的方法，该方法包括：将原硅酸四乙酯（TEOS）和O 2或其源作为前体， O2 / TEOS比例在15：1和25：1之间。