公开(公告)号：US06333531B1

公开(公告)日：2001-12-25

申请号：US09239655

申请日：1999-01-29

申请人： Yun-Yu Wang ,  Johnathan E. Faltermeier ,  Philip L. Flaitz ,  Jeffery L. Hurd ,  Rajarao Jammy ,  Radhika Srinivasan ,  Francis G. Trudeau ,  Dinah S. Weiss

发明人： Yun-Yu Wang ,  Johnathan E. Faltermeier ,  Philip L. Flaitz ,  Jeffery L. Hurd ,  Rajarao Jammy ,  Radhika Srinivasan ,  Francis G. Trudeau ,  Dinah S. Weiss

IPC分类号： H01L27108

CPC分类号： H01L27/10867

摘要： A process for forming a small grain structure in a material within a semiconductor device near the interface of an adjacent dissimilar material, to result in a highly diffusive grain structure. The highly diffusive grain structure formed within one material enhances diffusion of a dopant impurity, and provides for improved dopant control in an adjacent dissimilar material.

摘要翻译： 在邻近异种材料的界面附近的半导体器件内的材料中形成小晶粒结构的工艺，导致高扩散晶粒结构。 在一种材料内部形成的高度扩散的晶粒结构增强了掺杂杂质的扩散，并提供了在相邻不同材料中的改进的掺杂剂控制。