公开(公告)号：US06699299B2

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：US10393074

申请日：2003-03-20

申请人： Vikas Sachan ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Qianqiu (Christine) Ye ,  Keith G. Pierce ,  Craig D. Lack ,  Terence M. Thomas ,  Peter A. Burke ,  David Gettman ,  Sarah Lane

发明人： Vikas Sachan ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Qianqiu (Christine) Ye ,  Keith G. Pierce ,  Craig D. Lack ,  Terence M. Thomas ,  Peter A. Burke ,  David Gettman ,  Sarah Lane

IPC分类号： B24B100

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： A composition is provided in the present invention for polishing a composite semiconductor structure containing a metal layer (such as tungsten, aluminum, or copper), a barrier layer (such as tantalum, tantalum nitride, titanium, or titanium nitride), and an insulating layer (such as SiO2). The composition comprises an aqueous medium, an oxidant, an organic polymer that attenuates removal of the oxide film. The composition may optionally comprise a complexing agent and/or a dispersant.

摘要翻译： 在本发明中提供一种组合物，用于研磨包含金属层（例如钨，铝或铜），阻挡层（例如钽，氮化钽，钛或氮化钛）的绝缘体的复合半导体结构 层（如SiO2）。 组合物包含水性介质，氧化剂，有机聚合物，其减弱氧化膜的去除。 组合物可任选地包含络合剂和/或分散剂。

公开(公告)号：US06693035B1

公开(公告)日：2004-02-17

申请号：US09420682

申请日：1999-10-19

申请人： Vikas Sachan ,  Peter A. Burke ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Keith G. Pierce

发明人： Vikas Sachan ,  Peter A. Burke ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Keith G. Pierce

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： A method for chemical mechanical planarization of a semiconductor structure comprised of a conductive metal interconnect layer, a barrier or liner film, and an underlying dielectric layer using a two-step polishing process is provided. In the first step, the conducting metal overburden is substantially removed with little removal of the barrier or liner layer or the underlying dielectric structure. In the second step, the barrier layer is removed with little removal of the underlying dielectric layer. Five different methods and associated slurry compositions are described for the second polishing step, each adjusted to the state of the wafer following the first step of polishing. By using the appropriate method, the integrity of the remaining semiconductor structure can be substantially retained.

摘要翻译： 提供了使用两步抛光工艺的由导电金属互连层，阻挡层或衬里膜以及下层介电层构成的半导体结构的化学机械平面化方法。 在第一步骤中，导电金属覆盖层基本上被除去，几乎没有去除阻挡层或衬里层或下面的介电结构。 在第二步骤中，去除阻挡层，几乎不去除下面的介电层。 对于第二抛光步骤描述了五种不同的方法和相关的浆料组合物，每种调整至第一抛光步骤后的晶片状态。 通过使用适当的方法，可以基本上保持剩余半导体结构的完整性。

公开(公告)号：US06616717B2

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US09859147

申请日：2001-05-16

申请人： Vikas Sachan ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Qianqiu (Christine) Ye ,  Keith G. Pierce ,  Craig D. Lack ,  Terence M. Thomas ,  Peter A. Burke ,  David Gettman ,  Sarah Lane

发明人： Vikas Sachan ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Qianqiu (Christine) Ye ,  Keith G. Pierce ,  Craig D. Lack ,  Terence M. Thomas ,  Peter A. Burke ,  David Gettman ,  Sarah Lane

IPC分类号： C09G102

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： A composition is provided in the present invention for polishing a composite semiconductor structure containing a metal layer (such as tungsten, aluminum, or copper), a barrier layer (such as tantalum, tantalum nitride, titanium, or titanium nitride), and an insulating layer (such as SiO2). The composition comprises an aqueous medium, an oxidant, an organic polymer that attenuates removal of the oxide film. The composition may optionally comprise a complexing agent and/or a dispersant.

摘要翻译： 在本发明中提供一种组合物，用于研磨包含金属层（例如钨，铝或铜），阻挡层（例如钽，氮化钽，钛或氮化钛）的绝缘体的复合半导体结构 层（如SiO2）。 组合物包含水性介质，氧化剂，有机聚合物，其减弱氧化膜的去除。 组合物可任选地包含络合剂和/或分散剂。

公开(公告)号：US06331134B1

公开(公告)日：2001-12-18

申请号：US09329225

申请日：1999-06-10

申请人： Vikas Sachan ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Qianqiu (Christine) Ye ,  Keith G. Pierce ,  Craig D. Lack ,  Terence M. Thomas ,  Peter A. Burke ,  David Gettman ,  Sarah Lane

发明人： Vikas Sachan ,  Elizabeth A. (Kegerise) Langlois ,  Qianqiu (Christine) Ye ,  Keith G. Pierce ,  Craig D. Lack ,  Terence M. Thomas ,  Peter A. Burke ,  David Gettman ,  Sarah Lane

IPC分类号： B24B100

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： A composition is provided in the present invention for polishing a composite composite semiconductor structure containing a metal layer (such as tungsten, aluminum, or copper), a barrier layer (such as tantalum, tantalum nitride, titanium, or titanium nitride), and an insulating layer (such as SiO2). The composition comprises an aqueous medium, an abrasive, an oxidant, an organic polymer that attenuates removal of the oxide film having a degree of polymerization of at least 5 and having a plurality of moieties having affinity to surface groups contained on silicon dioxide surfaces. The composition may optionally comprise a complexing agent and/or a dispersant.

摘要翻译： 在本发明中提供了一种用于抛光含有金属层（例如钨，铝或铜），阻挡层（例如钽，氮化钽，钛或氮化钛）的复合复合半导体结构的组合物，以及 绝缘层（如SiO2）。 该组合物包含水性介质，研磨剂，氧化剂，有机聚合物，其减弱具有至少5聚合度的氧化物膜的去除并具有与二氧化硅表面上所含表面基团亲和性的多个部分。 组合物可任选地包含络合剂和/或分散剂。