公开(公告)号：US06723691B2

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US09781859

申请日：2001-02-12

申请人： Shahriar Naghshineh ,  Jeff Barnes ,  Ewa B. Oldak

发明人： Shahriar Naghshineh ,  Jeff Barnes ,  Ewa B. Oldak

IPC分类号： C11D162

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D1/62 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3254 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063

摘要： A cleaning solution for cleaning microelectronic substrates, particularly for post-CMP or via formation cleaning. The cleaning solution comprises a quaternary ammonium hydroxide, an organic amine, a corrosion inhibitor, optionally an organic acid, and water. A preferred cleaning solution comprises tetramethylammonium hydroxide, monoethylanolamine, gallic acid ascorbic acid, and water with the alkalinity of the cleaning solution greater than 0.073 milliequivalents base per gram of solution.

摘要翻译： 用于清洁微电子基板的清洁溶液，特别是用于后CMP或通孔形成清洁。 清洗溶液包括季铵氢氧化物，有机胺，腐蚀抑制剂，任选的有机酸和水。 优选的清洁溶液包括四甲基氢氧化铵，单乙醇胺，没食子酸抗坏血酸和水，其清洗溶液的碱度为每克溶液大于0.073毫当量碱。

公开(公告)号：US06194366B1

公开(公告)日：2001-02-27

申请号：US09440917

申请日：1999-11-16

申请人： Shahriar Naghshineh ,  Jeff Barnes ,  Yassaman Hashemi ,  Ewa B. Oldak

发明人： Shahriar Naghshineh ,  Jeff Barnes ,  Yassaman Hashemi ,  Ewa B. Oldak

IPC分类号： C11D726

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D1/62 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/2058 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2072 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  G03F7/425

摘要： A cleaning solution is provided for cleaning copper-containing microelectronic substrates, particularly for post-CMP or Via formation cleaning. The cleaning solution comprises a quaternary ammonium hydroxide, an organic amine, a corrosion inhibitor, and water. A preferred cleaning solution comprises tetramethylammonium hydroxide, monoethanolamine, gallic acid, and water. The pH of the cleaning solution is greater than 10.

摘要翻译： 提供清洁溶液用于清洗含铜微电子基板，特别是用于后CMP或Via地层清洗。 清洗溶液包含季铵氢氧化物，有机胺，腐蚀抑制剂和水。 优选的清洁溶液包括四甲基氢氧化铵，单乙醇胺，没食子酸和水。 清洗液的pH值大于10。