公开(公告)号：US1785035A

公开(公告)日：1930-12-16

申请号：US43324230

申请日：1930-03-05

申请人： FRANK CARDONE

发明人： FRED MACCARONE

IPC分类号： A43B9/08

CPC分类号： A43B9/08

公开(公告)号：US07906413B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US11414091

申请日：2006-04-28

申请人： Frank Cardone ,  Jack Oon Chu ,  Khalid EzzEldin Ismail

发明人： Frank Cardone ,  Jack Oon Chu ,  Khalid EzzEldin Ismail

IPC分类号： H01L31/0376 ,  C30B29/08

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7833

摘要： A structure and method of forming an abrupt doping profile is described incorporating a substrate, a first epitaxial layer of Ge less than the critical thickness having a P or As concentration greater than 5×1019 atoms/cc, and a second epitaxial layer having a change in concentration in its first 40 from the first layer of greater than 1×1019 P atoms/cc. Alternatively, a layer of SiGe having a Ge content greater than 0.5 may be selectively amorphized and recrystalized with respect to other layers in a layered structure. The invention overcomes the problem of forming abrupt phosphorus profiles in Si and SiGe layers or films in semiconductor structures such as CMOS, MODFET's, and HBT's.

摘要翻译： 描述了形成突变掺杂分布的结构和方法，其结合基片，Ge的第一外延层小于P或As浓度大于5×1019原子/ cc的临界厚度，以及具有改变的第二外延层 其浓度在其第一个40的第一层大于1×1019 P原子/ cc。 或者，具有Ge含量大于0.5的SiGe层可以相对于分层结构中的其它层选择性地非晶化并重结晶。 本发明克服了在诸如CMOS，MODFET和HBT等半导体结构中的Si和SiGe层或膜中形成突变磷分布的问题。

公开(公告)号：US2803070A

公开(公告)日：1957-08-20

申请号：US59002256

申请日：1956-06-07

申请人： PASQUALE PASSIDOMO ,  FRANK CARDONE

发明人： PASQUALE PASSIDOMO ,  FRANK CARDONE

IPC分类号： A43C15/16

CPC分类号： A43D100/14 ,  A43C15/161

公开(公告)号：US20060194422A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11414091

申请日：2006-04-28

申请人： Frank Cardone ,  Jack Chu ,  Khalid Ismail

发明人： Frank Cardone ,  Jack Chu ,  Khalid Ismail

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7833

摘要： A structure and method of forming an abrupt doping profile is described incorporating a substrate, a first epitaxial layer of Ge less than the critical thickness having a P or As concentration greater than 5×1019 atoms/cc, and a second epitaxial layer having a change in concentration in its first 40 OE from the first layer of greater than 1×1019 P atoms/cc. Alternatively, a layer of SiGe having a Ge content greater than 0.5 may be selectively amorphized and recrystalized with respect to other layers in a layered structure. The invention overcomes the problem of forming abrupt phosphorus profiles in Si and SiGe layers or films in semiconductor structures such as CMOS, MODFET's, and HBT's.

摘要翻译： 描述了形成突变掺杂分布的结构和方法，其结合基板，Ge的第一外延层Ge小于具有大于5×10 19原子/ cc的P或As浓度的临界厚度，以及 第二外延层在其第一层40 OE中的浓度随着大于1×10 19原子/ cc的第一层而变化。 或者，具有Ge含量大于0.5的SiGe层可以相对于分层结构中的其它层选择性地非晶化并重结晶。 本发明克服了在诸如CMOS，MODFET和HBT等半导体结构中的Si和SiGe层或膜中形成突变磷分布的问题。

公开(公告)号：US07067855B2

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：US10735167

申请日：2003-12-12

申请人： Frank Cardone ,  Jack Oon Chu ,  Khalid EzzEldin Ismail

发明人： Frank Cardone ,  Jack Oon Chu ,  Khalid EzzEldin Ismail

IPC分类号： H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/072

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7833

摘要： A structure and method of forming an abrupt doping profile is described incorporating a substrate, a first epitaxial layer of Ge less than the critical thickness having a P or As concentration greater than 5×1019 atoms/cc, and a second epitaxial layer having a change in concentration in its first 40 Å from the first layer of greater than 1×1019 P atoms/cc. Alternatively, a layer of SiGe having a Ge content greater than 0.5 may be selectively amorphized and recrystalized with respect to other layers in a layered structure. The invention overcomes the problem of forming abrupt phosphorus profiles in Si and SiGe layers or films in semiconductor structures such as CMOS, MODFET'S, and HBT's.

摘要翻译： 描述了形成突变掺杂分布的结构和方法，其结合基板，Ge的第一外延层Ge小于具有大于5×10 19原子/ cc的P或As浓度的临界厚度，以及 第二外延层具有大于1×10 19原子/ cc的第一层的第一层的浓度变化。 或者，具有Ge含量大于0.5的SiGe层可以相对于分层结构中的其它层选择性地非晶化并重结晶。 本发明克服了在诸如CMOS，MODFET和HBT等半导体结构中的Si和SiGe层或膜中形成突变磷分布的问题。

公开(公告)号：US06723621B1

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US08885611

申请日：1997-06-30

申请人： Frank Cardone ,  Jack Oon Chu ,  Khalid EzzEldin Ismail

发明人： Frank Cardone ,  Jack Oon Chu ,  Khalid EzzEldin Ismail

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7833

摘要： A structure and method of forming an abrupt doping profile is described incorporating a substrate, a first epitaxial layer of Ge less than the critical thickness having a P or As concentration greater than 5×1019 atoms/cc, and a second epitaxial layer having a change in concentration in its first 40 Å from the first layer of greater than 1×1019 P atoms/cc. Alternatively, a layer of SiGe having a Ge content greater than 0.5 may be selectively amorphized and recrystalized with respect to other layers in a layered structure. The invention overcomes the problem of forming abrupt phosphorus profiles in Si and SiGe layers or films in semiconductor structures such as CMOS, MODFET's, and HBT's.

摘要翻译： 描述了形成突变掺杂分布的结构和方法，其结合基片，Ge的第一外延层Ge小于P或As浓度大于5×10 19原子/ cc的临界厚度，以及第二外延层，其具有 从第一层大于1×10 19 P原子/ cc的第一层的浓度变化。 或者，具有Ge含量大于0.5的SiGe层可以相对于分层结构中的其它层选择性地非晶化并重结晶。 本发明克服了在诸如CMOS，MODFET和HBT等半导体结构中的Si和SiGe层或膜中形成突变磷分布的问题。