公开(公告)号：US06173720B1

公开(公告)日：2001-01-16

申请号：US09203927

申请日：1998-12-02

申请人： Russell H. Arndt ,  Glenn Walton Gale ,  Frederick William Kern, Jr. ,  Karen P. Madden ,  Harald F. Okorn-Schmidt ,  George Francis Ouimet, Jr. ,  Dario Salgado ,  Ryan Wayne Wuthrich

发明人： Russell H. Arndt ,  Glenn Walton Gale ,  Frederick William Kern, Jr. ,  Karen P. Madden ,  Harald F. Okorn-Schmidt ,  George Francis Ouimet, Jr. ,  Dario Salgado ,  Ryan Wayne Wuthrich

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

摘要： Semiconductor substrates are contacted with a deionized water solution containing an acidic material.

摘要翻译： 半导体衬底与含酸性材料的去离子水溶液接触。

公开(公告)号：US06354309B1

公开(公告)日：2002-03-12

申请号：US09671730

申请日：2000-09-29

申请人： Russell H. Arndt ,  Glenn Walton Gale ,  Frederick William Kern, Jr. ,  Karen P. Madden ,  Harald F. Okorn-Schmidt ,  George Francis Ouimet, Jr. ,  Dario Salgado ,  Ryan Wayne Wuthrich

发明人： Russell H. Arndt ,  Glenn Walton Gale ,  Frederick William Kern, Jr. ,  Karen P. Madden ,  Harald F. Okorn-Schmidt ,  George Francis Ouimet, Jr. ,  Dario Salgado ,  Ryan Wayne Wuthrich

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30604

摘要： Semiconductor substrates are contacted with a deionized water solution containing an acidic material.

摘要翻译： 半导体衬底与含酸性材料的去离子水溶液接触。