公开(公告)号：US08084367B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US11752834

申请日：2007-05-23

申请人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

发明人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02101 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L27/10852 ,  Y10S134/902

摘要： Provided herein are etching, cleaning and drying methods using a supercritical fluid, and a chamber system for conducting the same. The etching method includes etching the material layer using a supercritical carbon dioxide in which an etching chemical is dissolved, and removing an etching by-product created from a reaction between the material layer and the etching chemical using a supercritical carbon dioxide in which a cleaning chemical is dissolved. Methods of manufacturing a semiconductor device are also provided.

摘要翻译： 本文提供了使用超临界流体的蚀刻，清洁和干燥方法以及用于进行该临界流体的室系统。 蚀刻方法包括使用其中溶解蚀刻剂的超临界二氧化碳蚀刻材料层，以及使用超临界二氧化碳除去由材料层和蚀刻化学品之间的反应产生的蚀刻副产物，其中清洁化学品 溶解 还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08790470B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13326940

申请日：2011-12-15

申请人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

发明人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

IPC分类号： B08B3/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/02101 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L27/10852 ,  Y10S134/902

摘要： Provided herein are etching, cleaning and drying methods using a supercritical fluid, and a chamber system for conducting the same. The etching method includes etching the material layer using a supercritical carbon dioxide in which an etching chemical is dissolved, and removing an etching by-product created from a reaction between the material layer and the etching chemical using a supercritical carbon dioxide in which a cleaning chemical is dissolved. Methods of manufacturing a semiconductor device are also provided.

摘要翻译： 本文提供了使用超临界流体的蚀刻，清洁和干燥方法以及用于进行该临界流体的室系统。 蚀刻方法包括使用其中溶解蚀刻剂的超临界二氧化碳蚀刻材料层，以及使用超临界二氧化碳除去由材料层和蚀刻化学品之间的反应产生的蚀刻副产物，其中清洁化学品 溶解 还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：US08585917B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13326965

申请日：2011-12-15

申请人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

发明人： Hyo-san Lee ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Jeong-Nam Han ,  Jung-Min Oh ,  Kwon-Taek Lim ,  Ha-Soo Hwang ,  Haldorai Yuvaraj ,  Jae-Mok Jung

IPC分类号： C03C15/00

CPC分类号： H01L21/02101 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L27/10852 ,  Y10S134/902

摘要： Provided herein are etching, cleaning and drying methods using a supercritical fluid, and a chamber system for conducting the same. The etching method includes etching the material layer using a supercritical carbon dioxide in which an etching chemical is dissolved, and removing an etching by-product created from a reaction between the material layer and the etching chemical using a supercritical carbon dioxide in which a cleaning chemical is dissolved. Methods of manufacturing a semiconductor device are also provided.

摘要翻译： 本文提供了使用超临界流体的蚀刻，清洁和干燥方法以及用于进行该临界流体的室系统。 蚀刻方法包括使用其中溶解蚀刻剂的超临界二氧化碳蚀刻材料层，以及使用超临界二氧化碳除去由材料层和蚀刻化学品之间的反应产生的蚀刻副产物，其中清洁化学品 溶解 还提供了制造半导体器件的方法。