公开(公告)号：US07566158B2

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US11149161

申请日：2005-06-10

申请人： Hoe-Sup Soh ,  Man-Hoan Lee ,  Sung-Keun Lee

发明人： Hoe-Sup Soh ,  Man-Hoan Lee ,  Sung-Keun Lee

IPC分类号： F21V7/04

CPC分类号： G02B6/005 ,  G02F1/133615

摘要： A backlight unit for a display device is disclosed. The backlight unit includes a first optical sheet, a light source to supply light to the first optical sheet, and a first antireflection layer on a surface of the first optical sheet.

摘要翻译： 公开了一种用于显示装置的背光单元。 背光单元包括第一光学片，向第一光学片提供光的光源和在第一光学片的表面上的第一抗反射层。

公开(公告)号：US20070272933A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11802409

申请日：2007-05-22

申请人： Cheol Se Kim ,  Hoe Sup Soh

发明人： Cheol Se Kim ,  Hoe Sup Soh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38

摘要： A light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer on the substrate, a first semiconductor layer on the buffer layer, a light-emitting layer on the first semiconductor layer, a second semiconductor layer on the light-emitting layer, wherein the first semiconductor layer is partially exposed through the second semiconductor layer and the light-emitting layer, a first electrode on the exposed first semiconductor layer, and a second electrode on the second semiconductor layer, the second electrode having a grid shape.

摘要翻译： 发光二极管包括衬底，衬底上的缓冲层，缓冲层上的第一半导体层，第一半导体层上的发光层，发光层上的第二半导体层，其中第一 半导体层通过第二半导体层和发光层，暴露的第一半导体层上的第一电极和第二半导体层上的第二电极部分地暴露，第二电极具有栅格形状。

公开(公告)号：US20060139956A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11149161

申请日：2005-06-10

申请人： Hoe-Sup Soh ,  Man-Hoan Lee ,  Sung-Keun Lee

发明人： Hoe-Sup Soh ,  Man-Hoan Lee ,  Sung-Keun Lee

IPC分类号： F21V7/04

CPC分类号： G02B6/005 ,  G02F1/133615

摘要： A backlight unit for a display device is disclosed. The backlight unit includes a first optical sheet, a light source to supply light to the first optical sheet, and a first antireflection layer on a surface of the first optical sheet.

公开(公告)号：US06344377B2

公开(公告)日：2002-02-05

申请号：US09880829

申请日：2001-06-15

申请人： Byung Chul Ahn ,  Hyung Sik Seo ,  Hoe Sup Soh ,  Chang Dong Kim ,  Jae Beom Choi ,  Duk Chul Yun

发明人： Byung Chul Ahn ,  Hyung Sik Seo ,  Hoe Sup Soh ,  Chang Dong Kim ,  Jae Beom Choi ,  Duk Chul Yun

IPC分类号： H01L2184

CPC分类号： G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908

摘要： A semiconductor device includes a substrate and a first layer of a first conductive material on the substrate, the first layer having a first etching rate. A second layer of a second conductive material has a first hole on a portion of the first layer, the second layer having a second etching rate higher than the first etching rate. A third layer includes a combination of the first and second layers between the first and the second layers, the third layer having a third etching rate lower than the second etching rate. An insulating layer has a second hole on the third layer, the insulating layer having a fourth etching rate higher than the first etching rate. A transparent conductive layer is on the third layer through the first and second holes.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底和在衬底上的第一导电材料的第一层，第一层具有第一蚀刻速率。 第二导电材料层在第一层的一部分上具有第一孔，第二层具有高于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率。 第三层包括第一和第二层之间的第一和第二层的组合，第三层具有低于第二蚀刻速率的第三蚀刻速率。 绝缘层在第三层上具有第二孔，绝缘层具有比第一蚀刻速率高的第四蚀刻速率。 透明导电层通过第一和第二孔位于第三层上。

公开(公告)号：US06259119B1

公开(公告)日：2001-07-10

申请号：US09079896

申请日：1998-05-15

申请人： Byung Chul Ahn ,  Hyung Sik Seo ,  Hoe Sup Soh ,  Chang Dong Kim ,  Jae Boom Choi ,  Duk Chul Yun

发明人： Byung Chul Ahn ,  Hyung Sik Seo ,  Hoe Sup Soh ,  Chang Dong Kim ,  Jae Boom Choi ,  Duk Chul Yun

IPC分类号： H01L2900

CPC分类号： G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908

摘要： A semiconductor device includes a substrate and a first layer of a first conductive material on the substrate, the first layer having a first etching rate. A second layer of a second conductive material has a first hole on a portion of the first layer, the second layer having a second etching rate higher than the first etching rate. A third layer includes a combination of the first and second layers between the first and the second layers, the third layer having a third etching rate lower than the second etching rate. An insulating layer has a second hole on the third layer, the insulating layer having a fourth etching rate higher than the first etching rate. A transparent conductive layer is on the third layer through the first and second holes.

公开(公告)号：US07905647B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US11320250

申请日：2005-12-27

申请人： Hoe Sup Soh ,  Man Hoan Lee ,  Ji Su Yoon ,  Sung Keun Lee ,  Jin Hyuk Kwon

发明人： Hoe Sup Soh ,  Man Hoan Lee ,  Ji Su Yoon ,  Sung Keun Lee ,  Jin Hyuk Kwon

IPC分类号： F21V7/04

CPC分类号： G02B6/0056 ,  G02B6/0053 ,  G02F1/133606 ,  G02F2001/133607

摘要： A prism sheet, a back light unit using the same and liquid crystal display device having the back light unit are disclosed, for improvement of light concentration, frontal luminance and viewing angle, in which the prism sheet includes a light-condensing film. The light condensing film has a plurality of prism peaks, each having a triangular cross section inclined surface which is inclined from a top surface of the light-condensing film at an angle of about 20° to about 40°.

摘要翻译： 公开了一种棱镜片，使用该棱镜片的背光单元和具有背光单元的液晶显示装置，用于提高棱镜片包括聚光膜的光浓度，正面亮度和视角。 聚光膜具有多个棱镜峰，每个具有三角形横截面的倾斜表面，该倾斜表面以约20°至约40°的角度从聚光膜的顶表面倾斜。

公开(公告)号：US08247834B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US11802409

申请日：2007-05-22

申请人： Cheol Se Kim ,  Hoe Sup Soh

发明人： Cheol Se Kim ,  Hoe Sup Soh

IPC分类号： H01L33/48

CPC分类号： H01L33/38

摘要： A light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer on the substrate, a first semiconductor layer on the buffer layer, a light-emitting layer on the first semiconductor layer, a second semiconductor layer on the light-emitting layer, wherein the first semiconductor layer is partially exposed through the second semiconductor layer and the light-emitting layer, a first electrode on the exposed first semiconductor layer, and a second electrode on the second semiconductor layer, the second electrode having a grid shape.

摘要翻译： 发光二极管包括衬底，衬底上的缓冲层，缓冲层上的第一半导体层，第一半导体层上的发光层，发光层上的第二半导体层，其中第一 半导体层通过第二半导体层和发光层，暴露的第一半导体层上的第一电极和第二半导体层上的第二电极部分地暴露，第二电极具有栅格形状。