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    Method for Fabricating a Vertical Light-Emitting Diode with High Brightness
    2.
    发明申请
    Method for Fabricating a Vertical Light-Emitting Diode with High Brightness 审中-公开
    制造高亮度垂直发光二极管的方法

    公开(公告)号：US20120088318A1

    公开(公告)日：2012-04-12

    申请号：US13269658

    申请日：2011-10-10

    申请人： Hsiang-Szu CHANG ,  Nien-Tze YEH ,  Kuen-Pu LU ,  Chao-Cheng WANG

    发明人： Hsiang-Szu CHANG ,  Nien-Tze YEH ,  Kuen-Pu LU ,  Chao-Cheng WANG

    IPC分类号： H01L33/48

    CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22

    摘要： A method for fabricating a vertical light-emitting diode comprises forming a stack including a plurality of epitaxial layers on a patterned first substrate, placing a second substrate on the stack, removing the first substrate to expose the first surface, planarizing a first surface of the stack that was in contact with the patterned first substrate and has a pattern corresponding to a pattern provided on the first substrate to form a planarized second surface, and forming a first electrode in contact with a side of the second substrate that is opposite to the stack, and a second electrode in contact with the second surface of the stack. A roughening step can be performed to form uneven surface portions on a region of the second surface for improving light emission through the second surface of the stack.

    摘要翻译： 一种用于制造垂直发光二极管的方法包括在图案化的第一衬底上形成包括多个外延层的堆叠，将第二衬底放置在堆叠上，去除第一衬底以暴露第一表面，平坦化第一衬底的第一表面 堆叠，其与图案化的第一基板接触并且具有对应于设置在第一基板上的图案的图案以形成平坦化的第二表面，并且形成与第二基板的与堆叠相反的一侧接触的第一电极 以及与所述堆叠的第二表面接触的第二电极。 可以进行粗糙化步骤以在第二表面的区域上形成不均匀的表面部分，以改善通过叠层的第二表面的发光。