公开(公告)号：US20120309197A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13151806

申请日：2011-06-02

申请人： Hsing-Fei CHOU ,  Chia-Hua CHU ,  Jieh-Jang CHEN ,  Feng-Jia SHIU ,  Hung Chang HSIEH

发明人： Hsing-Fei CHOU ,  Chia-Hua CHU ,  Jieh-Jang CHEN ,  Feng-Jia SHIU ,  Hung Chang HSIEH

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： B81C1/00063

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes forming an opening in a substrate. A dielectric layer is formed and substantially conformal to the opening. A sacrificial structure is formed within the opening, covering a portion of the dielectric layer. A portion of the dielectric layer is removed by using the sacrificial structure as an etch mask layer. The sacrificial structure is removed.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括在衬底中形成开口。 形成介电层并基本上与开口保持一致。 在开口内形成牺牲结构，覆盖电介质层的一部分。 通过使用牺牲结构作为蚀刻掩模层来去除介电层的一部分。 牺牲结构被去除。

公开(公告)号：US08466070B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13151806

申请日：2011-06-02

申请人： Hsing-Fei Chou ,  Chia-Hua Chu ,  Jieh-Jang Chen ,  Feng-Jia Shiu ,  Hung Chang Hsieh

发明人： Hsing-Fei Chou ,  Chia-Hua Chu ,  Jieh-Jang Chen ,  Feng-Jia Shiu ,  Hung Chang Hsieh

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： B81C1/00063

摘要： A method of forming a semiconductor structure includes forming an opening in a substrate. A dielectric layer is formed and substantially conformal to the opening. A sacrificial structure is formed within the opening, covering a portion of the dielectric layer. A portion of the dielectric layer is removed by using the sacrificial structure as an etch mask layer. The sacrificial structure is removed.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括在衬底中形成开口。 形成介电层并基本上与开口保持一致。 在开口内形成牺牲结构，覆盖电介质层的一部分。 通过使用牺牲结构作为蚀刻掩模层来去除介电层的一部分。 牺牲结构被去除。