公开(公告)号：US4874712A

公开(公告)日：1989-10-17

申请号：US249401

申请日：1988-09-26

申请人： Myung S. Kim ,  Hyun S. Kang ,  Soon K. Lim ,  Hee K. Park

发明人： Myung S. Kim ,  Hyun S. Kang ,  Soon K. Lim ,  Hee K. Park

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/266 ,  H01L21/331 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/266 ,  Y10S148/01

摘要： Present invention relates to the fabrication method of the bipolar transistor.With this method the emitter of high-concentrated n-type is contacted closely to the extrinsic base of high-concentrated p-type.This structure is obtained by making the emitter of the bipolar transistor be self- aligned by the side wall under-cut of the nitride layer using double layers of the low temperature oxide and the nitride layer.

摘要翻译： 本发明涉及双极晶体管的制造方法。 采用这种方法，高浓度n型发射极与高浓度p型的外在基极紧密接触。 通过使用双层低温氧化物和氮化物层，通过使氮化物层的侧壁被切割来使双极晶体管的发射极自对准，从而获得这种结构。