公开(公告)号：US5506733A

公开(公告)日：1996-04-09

申请号：US177169

申请日：1994-01-04

申请人： Soo K. Kim ,  Mun C. Joung ,  Yong H. Shin ,  Man C. Choi ,  Yoon S. Seoh ,  Soon K. Lim ,  Joong K. Joh

发明人： Soo K. Kim ,  Mun C. Joung ,  Yong H. Shin ,  Man C. Choi ,  Yoon S. Seoh ,  Soon K. Lim ,  Joong K. Joh

IPC分类号： G11B5/008 ,  G11B15/12 ,  G11B15/18 ,  H04N5/92 ,  H04N5/926 ,  H04N9/79 ,  G11B5/02

CPC分类号： G11B15/125 ,  G11B15/1875 ,  G11B5/0086 ,  G11B5/00878 ,  H04N5/92 ,  H04N5/926 ,  H04N9/7921

摘要： An apparatus for recording and reproducing digital/analog video signals including a single head drum attached with heads for processing analog video signals and heads for processing digital video signals, and switches performing switching operations on the basis of the kind of input video signals. The head drum is variable in speed, depending on the kind of input video signals. In accordance with the apparatus, both analog and digital signals can be recorded and reproduced by a single recording unit and a single reproducing unit both capable of varying in characteristic, based on a video signal received thereto. This provides a reduction in manufacture cost and a light, thin, simple and compact construction of the existing VCRs.

摘要翻译： 一种用于记录和再现数字/模拟视频信号的装置，包括附接有用于处理模拟视频信号的磁头的单磁头磁鼓和用于处理数字视频信号的磁头的数字/模拟视频信号，以及基于输入视频信号的种类来执行切换操作。 磁头鼓的速度可变，取决于输入视频信号的种类。 根据该装置，模拟信号和数字信号都可以由能够根据接收到的视频信号而具有特性变化的单个记录单元和单个再现单元记录和再现。 这减少了现有录像机的制造成本和轻薄，简单和紧凑的结构。

公开(公告)号：US4874712A

公开(公告)日：1989-10-17

申请号：US249401

申请日：1988-09-26

申请人： Myung S. Kim ,  Hyun S. Kang ,  Soon K. Lim ,  Hee K. Park

发明人： Myung S. Kim ,  Hyun S. Kang ,  Soon K. Lim ,  Hee K. Park

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/266 ,  H01L21/331 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/266 ,  Y10S148/01

摘要： Present invention relates to the fabrication method of the bipolar transistor.With this method the emitter of high-concentrated n-type is contacted closely to the extrinsic base of high-concentrated p-type.This structure is obtained by making the emitter of the bipolar transistor be self- aligned by the side wall under-cut of the nitride layer using double layers of the low temperature oxide and the nitride layer.

摘要翻译： 本发明涉及双极晶体管的制造方法。 采用这种方法，高浓度n型发射极与高浓度p型的外在基极紧密接触。 通过使用双层低温氧化物和氮化物层，通过使氮化物层的侧壁被切割来使双极晶体管的发射极自对准，从而获得这种结构。