Method of improving the electrical characteristics of a thin film
    1.
    发明授权
    Method of improving the electrical characteristics of a thin film 失效
    改善薄膜电特性的方法

    公开(公告)号:US4761211A

    公开(公告)日:1988-08-02

    申请号:US124109

    申请日:1987-08-10

    CPC classification number: H01L21/31687

    Abstract: A method of improving the electrical characteristics of a thin film (1 or 9) formed on a substrate (3 or 11) by a Langmuir-Blodgett process. The method comprises immersing the film (1 or 9) in a fluid (5 or 13) and applying an electrical potential to the substrate (1 or 9) such that a self limiting electrochemical reaction within the fluid (5 or 13) causes any voids in the film (1 or 9) to be preferentially filled.

    Abstract translation: PCT No.PCT / GB86 / 00770 Sec。 371日期1987年8月10日 102(e)日期1987年8月10日PCT提交1986年12月17日PCT公布。 公开号WO87 / 04007 日本1987年7月2日。一种通过Langmuir-Blodgett法改善形成在基板(3或11)上的薄膜(1或9)的电特性的方法。 该方法包括将膜(1或9)浸入流体(5或13)中并将电位施加到基底(1或9)上,使得流体(5或13)内的自限制电化学反应引起任何空隙 在薄膜(1或9)中要优先填充。

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