公开(公告)号：US5541132A

公开(公告)日：1996-07-30

申请号：US408653

申请日：1995-03-21

申请人： Robert B. Davies ,  Vida Ilderem ,  Mark D. Griswold ,  Diann Dow ,  James E. Prendergast ,  Iksung Lim ,  Juan Buxo ,  Richard D. Sivan ,  James D. Burnett ,  Frank K. Baker

发明人： Robert B. Davies ,  Vida Ilderem ,  Mark D. Griswold ,  Diann Dow ,  James E. Prendergast ,  Iksung Lim ,  Juan Buxo ,  Richard D. Sivan ,  James D. Burnett ,  Frank K. Baker

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66659 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  Y10S438/981

摘要： An insulated gate field effect transistor (10) having an reduced gate to drain capacitance and a method of manufacturing the field effect transistor (10). A dopant well (13) is formed in a semiconductor material (11). A gate oxide layer (26) is formed on the dopant well (13) wherein the gate oxide layer (26) and a gate structure (41) having a gate contact portion (43) and a gate extension portion (44). The gate contact portion (43) permits electrical contact to the gate structure (41), whereas the gate extension portion (44) serves as the active gate portion. A portion of the gate oxide (26) adjacent the gate contact portion (43) is thickened to lower a gate to drain capacitance of the field effect transistor (10) and thereby increase a bandwidth of the insulated gate field effect transistor (10).

摘要翻译： 具有减小的栅极 - 漏极电容的绝缘栅场效应晶体管（10）和制造场效应晶体管（10）的方法。 掺杂剂阱（13）形成在半导体材料（11）中。 栅极氧化物层（26）形成在掺杂剂阱（13）上，其中栅极氧化物层（26）和具有栅极接触部分（43）和栅极延伸部分（44）的栅极结构（41）。 栅极接触部分（43）允许与栅极结构（41）的电接触，而栅极延伸部分（44）用作有源栅极部分。 与栅极接触部分（43）相邻的栅极氧化物（26）的一部分被加厚以降低场效应晶体管（10）的栅极到漏极电容，从而增加绝缘栅极场效应晶体管（10）的带宽。