公开(公告)号：US20140353713A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：US14141547

申请日：2013-12-27

申请人： BONGJIN KUH ,  KICHUL KIM ,  JEONGMEUNG KIM ,  JOONGHAN SHIN ,  JONGSUNG LIM ,  HANMEI CHOI

发明人： BONGJIN KUH ,  KICHUL KIM ,  JEONGMEUNG KIM ,  JOONGHAN SHIN ,  JONGSUNG LIM ,  HANMEI CHOI

IPC分类号： H01L31/0248 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a first insulation layer formed on the substrate in a first region, a photon absorption seed layer formed on the first insulation layer in the first region and on the substrate in a second region separate from the first region, and a photon absorption layer formed on the photon absorption seed layer in the first region. The photon absorption seed layer has a particular structure that may assist in reducing dislocation density in a region that includes a photon absorption layer.

摘要翻译： 半导体器件包括：衬底，在第一区域中形成在衬底上的第一绝缘层，在第一区域中形成在第一绝缘层上的光子吸收种子层和与第一区域分离的第二区域中的衬底;以及 形成在第一区域中的光子吸收种子层上的光子吸收层。 光子吸收种子层具有可以有助于减少包括光子吸收层的区域中的位错密度的特定结构。