公开(公告)号：US20060024935A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10903319

申请日：2004-07-30

申请人： Duofeng Yue ,  Peijun Chen ,  Sue Crank ,  Thomas Bonifield ,  Jiong-Ping Lu ,  Jie-Jie Xu

发明人： Duofeng Yue ,  Peijun Chen ,  Sue Crank ,  Thomas Bonifield ,  Jiong-Ping Lu ,  Jie-Jie Xu

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/6659

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises implanting small atoms into an nMOS semiconductor substrate (130) to a depth (132) no greater than about 30 nanometers into the nMOS semiconductor substrate. The method further comprises depositing a transition metal layer (400) over the nMOS semiconductor substrate. The transition metal layer and the nMOS semiconductor substrate are reacted to form the metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (700).

摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括将小原子注入nMOS半导体衬底（130）至nMOS半导体衬底中不大于约30纳米的深度（132）。 该方法还包括在nMOS半导体衬底上沉积过渡金属层（400）。 使过渡金属层和nMOS半导体衬底反应以形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造集成电路（700）的方法。

公开(公告)号：US07199032B2

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：US10903319

申请日：2004-07-30

申请人： Duofeng Yue ,  Peijun J. Chen ,  Sue Ellen Crank ,  Thomas D. Bonifield ,  Jiong-Ping Lu ,  Jie-Jie Xu

发明人： Duofeng Yue ,  Peijun J. Chen ,  Sue Ellen Crank ,  Thomas D. Bonifield ,  Jiong-Ping Lu ,  Jie-Jie Xu

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/6659

摘要： The present invention provides a method of manufacturing a metal silicide electrode (100) for a semiconductor device (110). The method comprises implanting small atoms into an nMOS semiconductor substrate (130) to a depth (132) no greater than about 30 nanometers into the nMOS semiconductor substrate. The method further comprises depositing a transition metal layer (400) over the nMOS semiconductor substrate. The transition metal layer and the nMOS semiconductor substrate are reacted to form the metal silicide electrode. Other aspects of the present invention include a method of manufacturing an integrated circuit (700).

摘要翻译： 本发明提供一种制造用于半导体器件（110）的金属硅化物电极（100）的方法。 该方法包括将小原子注入nMOS半导体衬底（130）至nMOS半导体衬底中不大于约30纳米的深度（132）。 该方法还包括在nMOS半导体衬底上沉积过渡金属层（400）。 使过渡金属层和nMOS半导体衬底反应以形成金属硅化物电极。 本发明的其它方面包括制造集成电路（700）的方法。