公开(公告)号：US20120267708A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13234150

申请日：2011-09-16

申请人： Yung-Fa Lin ,  Shou-Yi Hsu ,  Meng-Wei Wu ,  Main-Gwo Chen ,  Jing-Qing Chan ,  Yi-Chun Shih

发明人： Yung-Fa Lin ,  Shou-Yi Hsu ,  Meng-Wei Wu ,  Main-Gwo Chen ,  Jing-Qing Chan ,  Yi-Chun Shih

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L21/2256 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66727

摘要： A termination structure for a power MOSFET device includes a substrate, an epitaxial layer on the substrate, a trench in the epitaxial layer, a first insulating layer within the trench, a first conductive layer atop the first insulating layer, and a column doping region in the epitaxial layer and in direct contact with the first conductive layer. The first conductive layer is in direct contact with the first insulating layer and is substantially level with a top surface of the epitaxial layer. The first conductive layer comprises polysilicon, titanium, titanium nitride or aluminum.

摘要翻译： 功率MOSFET器件的端接结构包括衬底，衬底上的外延层，外延层中的沟槽，沟槽内的第一绝缘层，第一绝缘层顶部的第一导电层和第一绝缘层中的列掺杂区 外延层并与第一导电层直接接触。 第一导电层与第一绝缘层直接接触并且基本上与外延层的顶表面平齐。 第一导电层包括多晶硅，钛，氮化钛或铝。

公开(公告)号：US08178410B1

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US13171368

申请日：2011-06-28

申请人： Yung-Fa Lin ,  Shou-Yi Hsu ,  Meng-Wei Wu ,  Main-Gwo Chen ,  Jing-Qing Chan ,  Yi-Chun Shih

发明人： Yung-Fa Lin ,  Shou-Yi Hsu ,  Meng-Wei Wu ,  Main-Gwo Chen ,  Jing-Qing Chan ,  Yi-Chun Shih

IPC分类号： H01L21/8236

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811

摘要： A method for forming a power device includes the following steps. An epitaxial layer is formed on a substrate. A pad layer and hard mask are formed on the epitaxial layer. A trench is etched into the hard mask, the pad layer, and the epitaxial layer. The hard mask is removed. A buffer layer is formed on the sidewall of the trench. The trench is then filled with a dopant source layer comprising plural dopants. A drive-in process is performed to diffuse the dopants into the epitaxial layer through the buffer layer, thereby forming a diffusion region around the trench.

摘要翻译： 一种形成功率器件的方法包括以下步骤。 在衬底上形成外延层。 在外延层上形成焊盘层和硬掩模。 将沟槽蚀刻到硬掩模，焊盘层和外延层中。 硬面膜被去除。 缓冲层形成在沟槽的侧壁上。 然后用包括多个掺杂剂的掺杂剂源层填充沟槽。 执行驱入过程以通过缓冲层将掺杂剂扩散到外延层中，从而在沟槽周围形成扩散区域。