公开(公告)号：US6140173A

公开(公告)日：2000-10-31

申请号：US25372

申请日：1998-02-18

申请人： Robertus A. M. Wolters ,  Johanna H. H. M. Kemperman

发明人： Robertus A. M. Wolters ,  Johanna H. H. M. Kemperman

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/43 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L27/11502

摘要： The invention relates to a semiconductor device comprising a semiconductor body (3) with a semiconductor element (1) with an electrically conducting region (5) on which a capacitor (2) forming a memory element is present with a lower electrode (11), an oxidic ferroelectric dielectric (12), and an upper electrode (13), which lower electrode (11) makes electrical contact with the conducting region (5) and comprises a layer with a conductive metal oxide (112) and a layer (111) comprising platinum. The layer with the conductive metal oxide (112) acts as an oxygen barrier during manufacture. The invention also relates to a method of manufacturing such a semiconductor device.According to the invention, the device is characterized in that the layer comprising platinum (111) contains more than 15 atom % of a metal capable of forming a conductive metal oxide, and in that the layer (112) with the conductive metal oxide is present between the layer (111) comprising platinum and the ferroelectric dielectric (12).A good electrical contact between the lower electrode (11) and the conducting region (5) after manufacture is achieved thereby.

摘要翻译： 本发明涉及一种半导体器件，包括具有半导体元件（1）的半导体本体（3），所述半导体元件（1）具有导电区域（5），在其上存在形成存储元件的电容器（2），并具有下电极（11） 氧化铁电介质（12）和上电极（13），所述下电极（11）与所述导电区域（5）电接触，并且包括具有导电金属氧化物（112）和层（111）的层， 包括铂。 具有导电金属氧化物（112）的层在制造期间用作氧阻隔层。 本发明还涉及一种制造这种半导体器件的方法。 根据本发明，该装置的特征在于，包含铂（111）的层含有大于15原子％的能够形成导电金属氧化物的金属，并且存在具有导电金属氧化物的层（112） 在包含铂的层（111）和铁电电介质（12）之间。 由此实现制造后的下部电极（11）与导电区域（5）之间的良好的电接触。