公开(公告)号：US06914759B2

公开(公告)日：2005-07-05

申请号：US09843370

申请日：2001-04-26

申请人： Lujun Chen ,  James H. Giusti ,  Juan J. Fernandez-de-Castro

发明人： Lujun Chen ,  James H. Giusti ,  Juan J. Fernandez-de-Castro

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/00 ,  G11B5/02 ,  G11B5/39 ,  H01L43/08

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/02 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/0008 ,  G11B2005/3996

摘要： The present invention is directed to a spin valve sensor for use in a data storage system, that is adapted to receive a sense current and produce a GMR effect in response to applied magnetic fields. The spin valve sensor includes first and second ferromagnetic free layers, a spacer layer positioned between the first and second ferromagnetic free layers, and a biasing component. The first ferromagnetic free layer has a magnetization (M1) in a first direction, when in a quiescent (non-biased) state. The second ferromagnetic free layer has a magnetization (M2) in a second direction that is anti-parallel to the first direction, when in a quiescent (non biased) state.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于数据存储系统中的自旋阀传感器，其适于接收感测电流并响应所施加的磁场产生GMR效应。 自旋阀传感器包括第一和第二铁磁自由层，位于第一和第二铁磁自由层之间的间隔层和偏置部件。 当处于静止（非偏置）状态时，第一铁磁自由层在第一方向上具有磁化（M SUB 1 H）。 当处于静止（非偏置）状态时，第二铁磁自由层在与第一方向反平行的第二方向上具有磁化（M SUB 2 N）。

公开(公告)号：US5712565A

公开(公告)日：1998-01-27

申请号：US302799

申请日：1994-09-13

申请人： Allan E. Schultz ,  Peter K. George ,  Arthur Calderon ,  Jumna P. Ramdular ,  Juan J. Fernandez-De Castro ,  Leroy L. Longworth ,  Peter I. Bonyhard

发明人： Allan E. Schultz ,  Peter K. George ,  Arthur Calderon ,  Jumna P. Ramdular ,  Juan J. Fernandez-De Castro ,  Leroy L. Longworth ,  Peter I. Bonyhard

IPC分类号： G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  G01R33/02

CPC分类号： G11B5/3932 ,  G01R33/09 ,  G01R33/096

摘要： A magnetoresistive sensor (10) having permanent magnet stabilization includes a magnetoresistive layer (12), at least one permanent magnet (14a or 14b), and first and second current contacts (16a and 16b). The magnetoresistive layer (12) has an active sensing region (18) having a first thickness, and at least one under layer region (26a or 26b), with each under layer region (26a or 26b) having a second thickness that is less than the first thickness. Each permanent magnet (14a or 14b) is formed upon an under layer region (26a or 26b) of the magnetoresistive layer (12), and the first and second contacts (16a and 16b) are electrically coupled to the active region (18).

摘要翻译： PCT No.PCT / US94 / 07064 Sec。 371日期1994年9月13日 102（e）1994年9月13日PCT PCT 1994年6月22日PCT公布。 出版物WO95 / 35508 日期：1995年12月28日具有永磁体稳定性的磁阻传感器（10）包括磁阻层（12），至少一个永磁体（14a或14b）以及第一和第二电流触头（16a和16b）。 磁阻层（12）具有具有第一厚度的主动感测区域（18）和至少一个下层区域（26a或26b），每个下层区域（26a或26b）的第二厚度小于 第一厚度。 每个永磁体（14a或14b）形成在磁阻层（12）的下层区域（26a或26b）上，并且第一和第二触点（16a和16b）电耦合到有源区域（18）。

公开(公告)号：US07477490B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US10883065

申请日：2004-06-30

申请人： Kaizhong Gao ,  Jian X. Shen ,  Shaoping Li ,  Song S. Xue ,  Juan J. Fernandez-de-Castro

发明人： Kaizhong Gao ,  Jian X. Shen ,  Shaoping Li ,  Song S. Xue ,  Juan J. Fernandez-de-Castro

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： B82Y25/00 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08

摘要： A differentiated sensor includes a pair of magnetic layers having magnetization directions that are substantially antiparallel in a quiescent state. At least one of the magnetic layers is a free layer. A spacer layer is disposed between the pair of magnetic layers.

摘要翻译： 差分传感器包括具有在静止状态下基本上反平行的磁化方向的一对磁性层。 至少一个磁性层是自由层。 间隔层设置在一对磁性层之间。

公开(公告)号：US6111730A

公开(公告)日：2000-08-29

申请号：US945449

申请日：1997-10-22

申请人： Juan J. Fernandez-de-Castro

发明人： Juan J. Fernandez-de-Castro

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3932 ,  G11B5/3903

摘要： A magnetoresistive (MR) head (100) for use in a data storage system includes an MR sensor layer (170) and a soft adjacent layer (SAL) (120) disposed along a length of the MR sensor layer and adapted to vertically bias the MR sensor layer. A spacer layer (130) is formed between the MR sensor layer and the SAL in a central region (200) of the MR head. The MR sensor layer and the SAL are independently stabilized by first and second permanent magnet (PM) layers (160, 140), each formed in contact with one of the SAL and the MR sensor layer in first and second wing regions (210, 220) of the MR head. This allows a layer of low resistivity material (150) to be placed between the first and second PM layers in the first and second wing regions in order to lower the resistance of the MR head.

摘要翻译： PCT No.PCT / US97 / 15428 Sec。 371日期1997年10月22日第 102（e）1997年10月22日PCT PCT 1997年9月2日PCT公布。 出版物WO98 / 49676 日期1998年11月5日用于数据存储系统的磁阻（MR）头（100）包括沿着MR传感器层的长度设置的MR传感器层（170）和软相邻层（SAL）（120） 适于垂直偏置MR传感器层。 在MR头的中心区域（200）中的MR传感器层和SAL之间形成间隔层（130）。 MR传感器层和SAL通过第一和第二永磁体（PM）层（160,140）独立地稳定，每个永久磁体层（160,140）形成为与第一和第二翼区域（210,220）中的SAL和MR传感器层中的一个接触 ）MR头。 这允许一层低电阻率材料（150）放置在第一和第二翼区域中的第一和第二PM层之间，以便降低MR磁头的电阻。