公开(公告)号：US06337282B2

公开(公告)日：2002-01-08

申请号：US09364053

申请日：1999-07-30

申请人： Ju-Wan Kim ,  Byung-Keun Hwang ,  Sung-Jin Kim ,  Jue-Goo Lee ,  Chang-Hyun Cho ,  Gwan-Hyeob Koh

发明人： Ju-Wan Kim ,  Byung-Keun Hwang ,  Sung-Jin Kim ,  Jue-Goo Lee ,  Chang-Hyun Cho ,  Gwan-Hyeob Koh

IPC分类号： H01L21311

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185

摘要： A dielectric layer is formed by depositing a first dielectric layer above a semiconductor substrate including recessed regions, etching the first dielectric layer to remove any voids and to lower the aspect ratio of the recessed regions, and depositing a second dielectric layer on the first dielectric layer in the recessed regions. The method is particularly useful when the aspect ratios are high for recessed regions formed between patterns.

摘要翻译： 通过在包括凹陷区域的半导体衬底上沉积第一电介质层，蚀刻第一电介质层以除去任何空隙并降低凹陷区域的纵横比，并在第一介电层上沉积第二电介质层，形成电介质层 在凹陷区域。 当在图案之间形成的凹陷区域的纵横比高时，该方法特别有用。