公开(公告)号：US20080112212A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11598385

申请日：2006-11-13

Applicant: Dao-Ping Wang ,  Hung-Jen Liao ,  Kun Lung Chen ,  Yung-Lung Lin ,  Jun-Jen Wu ,  Chen Yen-Huei

Inventor： Dao-Ping Wang ,  Hung-Jen Liao ,  Kun Lung Chen ,  Yung-Lung Lin ,  Jun-Jen Wu ,  Chen Yen-Huei

IPC: G11C11/00

CPC classification number: G11C11/412 ,  G11C8/08 ,  G11C11/413 ,  G11C11/418

Abstract: A system and method for writing a SRAM cell coupled to complimentary first and second bit-lines (BLs) is disclosed, the method comprising asserting a word-line (WL) selecting the SRAM cell to a first positive voltage, providing a second positive voltage at the first BL, providing a first negative voltage at the second BL, and asserting a plurality of WLs not selecting the SRAM cell to a second negative voltage, wherein the writing margin of the SRAM cell is increased.

Abstract translation: 公开了一种用于写入耦合到互补的第一和第二位线（BL）的SRAM单元的系统和方法，所述方法包括断言将SRAM单元选择为第一正电压的字线（WL），提供第二正电压 在第一BL处，在第二BL处提供第一负电压，并且将不选择SRAM单元的多个WL确定为第二负电压，其中增加了SRAM单元的写入裕度。