公开(公告)号：US5976626A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US691043

申请日：1996-08-01

申请人： Junko Matsubara ,  Toru Tajima ,  Shigeru Harada

发明人： Junko Matsubara ,  Toru Tajima ,  Shigeru Harada

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  B05D3/04

CPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device is provided superior in planarization, crack resistance, and moisture resistance, and with no corrosion in wiring while the manufacturing cost is suppressed without increasing the number of manufacturing steps in forming an interlayer film therein. This method includes the step of forming a silicon oxide film on a substrate so as to cover a first wiring formed with a silicon oxide film therebetween. A thick-film inorganic SOG film is coated on the silicon oxide film, and then a thermal treatment is applied. Next, a silicon oxide film is formed, and a via hole is formed according to a predetermined mask. By carrying out a thermal treatment at the temperature of 150.about.550.degree. C. and at the pressure of not more than 10.sup.-3 Torr with a portion of the thick-film inorganic SOG film exposed at a side surface of the via hole, residual gas such as CO.sub.2, and H.sub.2 O adsorbed to the side surface of the via hole is released. Thus, corrosion of a wiring that is subsequently formed will be prevented to obtain a semiconductor device of high reliability.

摘要翻译： 提供了一种制造半导体器件的方法，其在平坦化，抗裂纹性和耐湿性方面优异，并且在不增加在其中形成中间膜的制造步骤数量的同时抑制制造成本的同时，不会发生布线腐蚀。 该方法包括在基板上形成氧化硅膜以覆盖其间形成有氧化硅膜的第一布线的步骤。 将厚膜无机SOG膜涂覆在氧化硅膜上，然后进行热处理。 接着，形成氧化硅膜，根据规定的掩模形成通孔。 通过在150℃的温度和不大于10-3乇的压力下进行热处理，一部分在通孔的侧面暴露的厚膜无机SOG膜，残留 释放吸附在通孔侧面的CO 2，H 2 O等的气体。 因此，可以防止随后形成的布线的腐蚀，从而获得高可靠性的半导体器件。

公开(公告)号：US5008119A

公开(公告)日：1991-04-16

申请号：US62180

申请日：1987-08-10

申请人： Junko Matsubara

发明人： Junko Matsubara

IPC分类号： A61K33/24 ,  A61K33/30 ,  A61K33/32 ,  A61K35/74 ,  A61K36/07 ,  A61P3/00 ,  A61P43/00

CPC分类号： A61K33/32 ,  A61K36/07 ,  Y10S514/917

摘要： An antioxidative biophylactic agent containing a substance that can induce metallothionein production in human or animal body. Manganese or compounds thereof, Streptococcus hemolyticus which has been deprived of a streptolysin-S-yielding ability, and an extract from coriolus versicolor belonging to the family Polyporaceae, Basidomycetes having a remarkable metallothinonein-inducing ability in vivo, and an antioxidative biophylactic effect such as radiation damage protection can be obtained by administering these metallothionein-inducing substances.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP86 / 00510 Sec。 371日期1987年8月10日 102（e）日期1987年8月10日PCT申请日1986年10月6日PCT公布。 出版物WO87 / 02245 日期：1987年4月23日。一种抗氧化生物预防剂，含有可诱导人体或动物体内金属硫蛋白生成的物质。 已经被剥夺了链球菌溶血素-S产生能力的锰或其化合物，溶血链球菌，以及属于多孔科的科氏菌属的提取物，在体内具有显着的金属硫蛋白诱导能力的生物菌纲，以及抗氧化生物预防效果，例如 通过施用这些金属硫蛋白诱导物质可以获得辐射损伤保护。