公开(公告)号：US20140127496A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14154497

申请日：2014-01-14

申请人： Wen-Huai YU ,  Cheng-Jui YANG ,  Yu-Min YANG ,  Kai-Yuan PAI ,  Wen-Chieh LAN ,  Chan-Lu SU ,  Yu-Tsung CHIANG ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

发明人： Wen-Huai YU ,  Cheng-Jui YANG ,  Yu-Min YANG ,  Kai-Yuan PAI ,  Wen-Chieh LAN ,  Chan-Lu SU ,  Yu-Tsung CHIANG ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

IPC分类号： H01L31/18 ,  C01B33/02

CPC分类号： C01B33/02 ,  C30B11/002 ,  C30B11/006 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/259

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are provided. The method utilizes a nucleation promotion layer to facilitate a plurality of silicon grains to nucleate on the nucleation promotion layer from a silicon melt and grow in a vertical direction into silicon grains until the silicon melt is completely solidified. The increment rate of defect density in the silicon ingot along the vertical direction has a range of 0.01%/mm˜10%/mm.

摘要翻译： 提供一种晶体硅锭及其制造方法。 该方法利用成核促进层促进多个硅晶粒在硅熔体上在成核促进层上成核并在垂直方向上生长成硅晶粒，直到硅熔体完全固化。 硅锭沿垂直方向的缺陷密度增加率为0.01％/ mm〜10％/ mm。

公开(公告)号：US09493357B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US13416525

申请日：2012-03-09

申请人： Wen-Huai Yu ,  Cheng-Jui Yang ,  Yu-Min Yang ,  Kai-Yuan Pai ,  Wen-Chieh Lan ,  Chan-Lu Su ,  Yu-Tsung Chiang ,  Sung-Lin Hsu ,  Wen-Ching Hsu ,  Chung-Wen Lan

发明人： Wen-Huai Yu ,  Cheng-Jui Yang ,  Yu-Min Yang ,  Kai-Yuan Pai ,  Wen-Chieh Lan ,  Chan-Lu Su ,  Yu-Tsung Chiang ,  Sung-Lin Hsu ,  Wen-Ching Hsu ,  Chung-Wen Lan

IPC分类号： C30B11/14 ,  C01B33/02 ,  C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： C01B33/02 ,  C30B11/002 ,  C30B11/006 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/259

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are provided. The method utilizes a nucleation promotion layer to facilitate a plurality of silicon grains to nucleate on the nucleation promotion layer from a silicon melt and grow in a vertical direction into silicon grains until the silicon melt is completely solidified. The increment rate of defect density in the silicon ingot along the vertical direction has a range of 0.01%/mm˜10%/mm.

摘要翻译： 提供一种晶体硅锭及其制造方法。 该方法利用成核促进层促进多个硅晶粒在硅熔体上在成核促进层上成核并在垂直方向上生长成硅晶粒，直到硅熔体完全固化。 硅锭沿垂直方向的缺陷密度增加率为0.01％/ mm〜10％/ mm。

公开(公告)号：US20130136918A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13416525

申请日：2012-03-09

申请人： Wen-Huai YU ,  Cheng-Jui YANG ,  Yu-Min YANG ,  Kai-Yuan PAI ,  Wen-Chieh LAN ,  Chan-Lu SU ,  Yu-Tsung CHIANG ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

发明人： Wen-Huai YU ,  Cheng-Jui YANG ,  Yu-Min YANG ,  Kai-Yuan PAI ,  Wen-Chieh LAN ,  Chan-Lu SU ,  Yu-Tsung CHIANG ,  Sung-Lin HSU ,  Wen-Ching HSU ,  Chung-Wen LAN

IPC分类号： B32B5/16 ,  B32B9/04 ,  C01B33/02 ,  C30B19/10

CPC分类号： C01B33/02 ,  C30B11/002 ,  C30B11/006 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/259

摘要： A crystalline silicon ingot and a method of fabricating the same are provided. The method utilizes a nucleation promotion layer to facilitate a plurality of silicon grains to nucleate on the nucleation promotion layer from a silicon melt and grow in a vertical direction into silicon grains until the silicon melt is completely solidified. The increment rate of defect density in the silicon ingot along the vertical direction has a range of 0.01%/mm˜10%/mm.

摘要翻译： 提供一种晶体硅锭及其制造方法。 该方法利用成核促进层促进多个硅晶粒在硅熔体上在成核促进层上成核并在垂直方向上生长成硅晶粒，直到硅熔体完全固化。 硅锭沿垂直方向的缺陷密度增量率为0.01％/ mm〜10％/ mm。

公开(公告)号：US20130133569A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13479497

申请日：2012-05-24

申请人： Chung-Wen Lan ,  Bruce Hsu ,  Wen-Huai Yu ,  Wen-Chieh Lan ,  Yu-Min Yang ,  Kai-Yuan Pai ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Chung-Wen Lan ,  Bruce Hsu ,  Wen-Huai Yu ,  Wen-Chieh Lan ,  Yu-Min Yang ,  Kai-Yuan Pai ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B21/02 ,  Y10T117/1092

摘要： A crystal growth device includes a crucible and a heater setting. The crucible has a bottom and a top opening. The heater setting surrounds the crucible and is movable relative to the crucible along a top-bottom direction of the crucible and between first and second positions. The heater setting includes a first temperature heating zone and a second temperature heating zone higher in temperature than the first temperature heating zone. The heater setting is in the first position when the crucible is in the second temperature heating zone and in the second position when the crucible is in the first temperature heating zone.

摘要翻译： 晶体生长装置包括坩埚和加热器设置。 坩埚具有底部和顶部开口。 加热器设置围绕坩埚并且可以相对于坩埚沿着坩埚的顶部 - 底部方向以及在第一和第二位置之间移动。 加热器设置包括温度高于第一温度加热区的第一温度加热区和第二温度加热区。 当坩埚处于第二温度加热区域时，加热器设置处于第一位置，并且当坩埚处于第一温度加热区域时处于第二位置。

公开(公告)号：US09163326B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US13479497

申请日：2012-05-24

申请人： Chung-Wen Lan ,  Bruce Hsu ,  Wen-Huai Yu ,  Wen-Chieh Lan ,  Yu-Min Yang ,  Kai-Yuan Pai ,  Wen-Ching Hsu

发明人： Chung-Wen Lan ,  Bruce Hsu ,  Wen-Huai Yu ,  Wen-Chieh Lan ,  Yu-Min Yang ,  Kai-Yuan Pai ,  Wen-Ching Hsu

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B21/02

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B21/02 ,  Y10T117/1092

摘要： A crystal growth device includes a crucible and a heater setting. The crucible has a bottom and a top opening. The heater setting surrounds the crucible and is movable relative to the crucible along a top-bottom direction of the crucible and between first and second positions. The heater setting includes a first temperature heating zone and a second temperature heating zone higher in temperature than the first temperature heating zone. The heater setting is in the first position when the crucible is in the second temperature heating zone and in the second position when the crucible is in the first temperature heating zone.

摘要翻译： 晶体生长装置包括坩埚和加热器设置。 坩埚具有底部和顶部开口。 加热器设置围绕坩埚并且可以相对于坩埚沿着坩埚的顶部 - 底部方向以及在第一和第二位置之间移动。 加热器设置包括温度高于第一温度加热区的第一温度加热区和第二温度加热区。 当坩埚处于第二温度加热区域时，加热器设置处于第一位置，并且当坩埚处于第一温度加热区域时处于第二位置。