利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

5 条记录 (耗时 0.01 秒)

    Controlling the Temperature Profile in a Sheet Wafer
    1.
    发明申请
    Controlling the Temperature Profile in a Sheet Wafer 审中-公开
    控制片晶片中的温度曲线

    公开(公告)号：US20110155045A1

    公开(公告)日：2011-06-30

    申请号：US13015258

    申请日：2011-01-27

    申请人： Kaitlin Olsen ,  Weidong Huang ,  Christine Richardson

    发明人： Kaitlin Olsen ,  Weidong Huang ,  Christine Richardson

    IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B15/10

    CPC分类号： C30B15/002 ,  C30B15/007 ,  C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1044

    摘要： A sheet wafer growth system includes a crucible for containing molten material and an afterheater positioned above the crucible. The afterheater has an inner surface disposed toward the crucible. The system further includes one or more shields adjacent to the inner surface of the afterheater. The afterheater and the shield(s) are configured to allow a sheet wafer to pass adjacent to the shield(s). Each shield has two or more substantially different thermally conductive regions such that the two or more regions are configured to control the temperature profile of the growing sheet wafer.

    摘要翻译： 片状晶片生长系统包括用于容纳熔融材料的坩埚和位于坩埚上方的后热器。 后热器具有朝向坩埚设置的内表面。 该系统还包括与后热器的内表面相邻的一个或多个屏蔽件。 后热器和护罩被构造成允许片状晶片相邻于屏蔽件通过。 每个屏蔽具有两个或更多个基本上不同的导热区域，使得两个或更多个区域被配置为控制生长片材晶片的温度分布。