公开(公告)号：US08279409B1

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12536425

申请日：2009-08-05

申请人： Abdurrahman Sezginer ,  Hsu-Ting Huang ,  Jesus Orsely Carrero ,  Tatung Chow ,  Kostyantyn Chuyeshov ,  Gokhan Percin

发明人： Abdurrahman Sezginer ,  Hsu-Ting Huang ,  Jesus Orsely Carrero ,  Tatung Chow ,  Kostyantyn Chuyeshov ,  Gokhan Percin

IPC分类号： G03B27/32 ,  G03B27/54 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/70 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70441 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70516

摘要： The present invention provides a method for calibrating a computational model of a lithography process by calculating a demerit function using an intensity measurement at a location of a wafer; and calibrating the lithography model or a mask making model by determining values of parameters of the computational model using the calculated demerit function. The method may also use a second demerit function that is defined by the sum of squares of differences between a simulated and measured critical dimensions of a feature on the wafer.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于通过使用在晶片的位置处的强度测量来计算缺点函数来校准光刻处理的计算模型的方法; 并通过使用计算的缺点函数确定计算模型的参数值来校准光刻模型或掩模制作模型。 该方法还可以使用由晶片上的特征的模拟和测量的临界尺寸之间的差的平方和定义的第二缺点函数。