公开(公告)号：US06921964B2

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：US10072658

申请日：2002-02-07

申请人： Tomoyuki Furuhata ,  Kotaro Misawa

发明人： Tomoyuki Furuhata ,  Kotaro Misawa

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7885 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324

摘要： A semiconductor device includes a non-volatile memory transistor 100. An interlayer dielectric layer 40 is provided on a semiconductor layer 10 where the non-volatile memory transistor 100 is formed. The interlayer dielectric layer 40 is an insulation layer for electrically isolating a conductive layer 30 formed over the semiconductor layer 10 from the non-volatile memory transistor, and includes a layer 42 containing nitride.

摘要翻译： 半导体器件包括非易失性存储晶体管100。 在形成非易失性存储晶体管100的半导体层10上设置层间介质层40。 层间介质层40是用于将形成在半导体层10上的导电层30与非易失性存储晶体管电隔离的绝缘层，并且包括含有氮化物的层42。