公开(公告)号：US20080057640A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11559062

申请日：2006-11-13

申请人： LI-CHENG TENG ,  CHUN-WEI YU ,  CHUN-CHONG FU ,  YUAN-MING CHANG

发明人： LI-CHENG TENG ,  CHUN-WEI YU ,  CHUN-CHONG FU ,  YUAN-MING CHANG

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01L28/84 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a first electrode of a capacitor is described. A substrate comprising an insulating layer formed thereon is provided. The insulating layer has an opening. A silicon layer is formed on the insulating layer. The silicon layer is transformed to a hemispherical grain layer. An etching process is performed to remove a portion of the hemispherical grain layer outside the opening.

摘要翻译： 描述制造电容器的第一电极的方法。 提供了包括其上形成的绝缘层的基板。 绝缘层具有开口。 在绝缘层上形成硅层。 将硅层转变为半球形晶粒层。 进行蚀刻处理以去除开口外部的半球形晶粒层的一部分。