公开(公告)号：US20060146262A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11025908

申请日：2005-01-03

申请人： Chun-Wei Yu ,  Chi-hsun Li ,  Kuo-Chuan Huang

发明人： Chun-Wei Yu ,  Chi-hsun Li ,  Kuo-Chuan Huang

IPC分类号： G02F1/1345

CPC分类号： H05K3/361 ,  G02F1/13452 ,  H01J11/10 ,  H01J11/46 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/09909

摘要： A method to improve the effect of the overflow of the anisotropic conductive film has the steps of providing guide blocks on electrodes of a panel or on a flexible printing circuit (FPC) or on both of them, and then processing a bonding process of the flexible printing circuit (FPC) to melt a conductive film between the flexible printing circuit (FPC) and the panel. The melted conductive film is restricted by the guide blocks to flow to the electrodes and to cover them.

摘要翻译： 提高各向异性导电膜溢出效果的方法具有以下步骤：在面板的电极或柔性印刷电路（FPC）上或两者上提供引导块，然后处理柔性 印刷电路（FPC），以在柔性印刷电路（FPC）和面板之间熔化导电膜。 熔融的导电膜被引导块限制流向电极并覆盖它们。

公开(公告)号：US20080057640A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11559062

申请日：2006-11-13

申请人： LI-CHENG TENG ,  CHUN-WEI YU ,  CHUN-CHONG FU ,  YUAN-MING CHANG

发明人： LI-CHENG TENG ,  CHUN-WEI YU ,  CHUN-CHONG FU ,  YUAN-MING CHANG

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01L28/84 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a first electrode of a capacitor is described. A substrate comprising an insulating layer formed thereon is provided. The insulating layer has an opening. A silicon layer is formed on the insulating layer. The silicon layer is transformed to a hemispherical grain layer. An etching process is performed to remove a portion of the hemispherical grain layer outside the opening.

摘要翻译： 描述制造电容器的第一电极的方法。 提供了包括其上形成的绝缘层的基板。 绝缘层具有开口。 在绝缘层上形成硅层。 将硅层转变为半球形晶粒层。 进行蚀刻处理以去除开口外部的半球形晶粒层的一部分。