公开(公告)号：US4857481A

公开(公告)日：1989-08-15

申请号：US322943

申请日：1989-03-14

申请人： Gordon Tam ,  Lisa R. Granick

发明人： Gordon Tam ,  Lisa R. Granick

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/768 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/7688 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76885

摘要： An improved method of fabricating airbridge metal interconnects uses two photoresist layers having different solubility characteristics. This allows for the removal of one resist without affecting the other. Thus, the underlying semiconductor structure is protected from subsequent etches of the ground plane metal. Consequently, a greater process latitude allows for obtaining higher device yields in fabricating high frequency semiconductor devices employing airbridge metal interconnects.

摘要翻译： 制造气桥金属互连的改进方法使用具有不同溶解度特性的两个光致抗蚀剂层。 这允许去除一个抗蚀剂而不影响另一个抗蚀剂。 因此，保护​​下面的半导体结构免受接地平面金属的后续蚀刻。 因此，更大的工艺纬度允许在制造使用空中桥接金属互连的高频半导体器件中获得更高的器件产量。