公开(公告)号：US08628999B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13406838

申请日：2012-02-28

申请人： Augustin J. Hong ,  Marinus J. Hopstaken ,  Chien-Chih Huang ,  Yu-Wei Huang ,  Jeehwan Kim ,  Devendra K. Sadana ,  Chih-Fu Tseng

发明人： Augustin J. Hong ,  Marinus J. Hopstaken ,  Chien-Chih Huang ,  Yu-Wei Huang ,  Jeehwan Kim ,  Devendra K. Sadana ,  Chih-Fu Tseng

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for forming a photovoltaic device include depositing a p-type layer on a substrate and cleaning the p-type layer by exposing a surface of the p-type layer to a plasma treatment to react with contaminants. An intrinsic layer is formed on the p-type layer, and an n-type layer is formed on the intrinsic layer.

摘要翻译： 用于形成光伏器件的方法包括在衬底上沉积p型层并通过将p型层的表面暴露于等离子体处理以与污染物反应来清洁p型层。 在p型层上形成本征层，在本征层上形成n型层。

公开(公告)号：US20130224900A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13406838

申请日：2012-02-28

申请人： Augustin J. Hong ,  Marinus J. Hopstaken ,  Chien-Chih Huang ,  Yu-Wei Huang ,  Jeehwan Kim ,  Devendra K. Sadana ,  Chih-Fu Tseng

发明人： Augustin J. Hong ,  Marinus J. Hopstaken ,  Chien-Chih Huang ,  Yu-Wei Huang ,  Jeehwan Kim ,  Devendra K. Sadana ,  Chih-Fu Tseng

IPC分类号： H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for forming a photovoltaic device include depositing a p-type layer on a substrate and cleaning the p-type layer by exposing a surface of the p-type layer to a plasma treatment to react with contaminants. An intrinsic layer is formed on the p-type layer, and an n-type layer is formed on the intrinsic layer.

摘要翻译： 用于形成光伏器件的方法包括在衬底上沉积p型层并通过将p型层的表面暴露于等离子体处理以与污染物反应来清洁p型层。 在p型层上形成本征层，在本征层上形成n型层。