公开(公告)号：US20130064499A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13614194

申请日：2012-09-13

申请人： Masataka SATOH ,  Kouki HIRANO ,  Hiroki YASUDA ,  Hiroshi ISHIKAWA

发明人： Masataka SATOH ,  Kouki HIRANO ,  Hiroki YASUDA ,  Hiroshi ISHIKAWA

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/4214 ,  G02B6/3652 ,  G02B6/3692 ,  G02B6/423 ,  G02B6/4267 ,  G02B6/428

摘要： A photoelectric conversion module includes a substrate, a photoelectric conversion element optically coupled to an optical fiber, and a conductor pattern that is provided on a surface of the substrate and includes an electrode pattern mounting the photoelectric conversion element and a restriction pattern for restricting a position of the optical fiber.

摘要翻译： 光电转换模块包括基板，光耦合到光纤的光电转换元件和设置在基板的表面上并包括安装光电转换元件的电极图案和限制位置的限制图案的导体图案 的光纤。

公开(公告)号：US08909005B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13614194

申请日：2012-09-13

申请人： Masataka Satoh ,  Kouki Hirano ,  Hiroki Yasuda ,  Hiroshi Ishikawa

发明人： Masataka Satoh ,  Kouki Hirano ,  Hiroki Yasuda ,  Hiroshi Ishikawa

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/36 ,  G02B6/42

CPC分类号： G02B6/4214 ,  G02B6/3652 ,  G02B6/3692 ,  G02B6/423 ,  G02B6/4267 ,  G02B6/428

摘要： A photoelectric conversion module includes a substrate, a photoelectric conversion element optically coupled to an optical fiber, and a conductor pattern that is provided on a surface of the substrate and includes an electrode pattern mounting the photoelectric conversion element and a restriction pattern for restricting a position of the optical fiber.

摘要翻译： 光电转换模块包括基板，光耦合到光纤的光电转换元件和设置在基板的表面上并包括安装光电转换元件的电极图案和限制位置的限制图案的导体图案 的光纤。

公开(公告)号：US20120070968A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13234594

申请日：2011-09-16

申请人： Masami Shibagaki ,  Masataka Satoh ,  Takahiro Sugimoto ,  Akemi Satoh

发明人： Masami Shibagaki ,  Masataka Satoh ,  Takahiro Sugimoto ,  Akemi Satoh

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/26

CPC分类号： H01L21/0445 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  Y10S438/931

摘要： The present invention provides a method of processing a substrate and a method of manufacturing a silicon carbide (SiC) substrate in which, when annealing processing is performed on a crystalline silicon carbide (SiC) substrate, the occurrence of surface roughness is suppressed. A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a step of performing plasma irradiation on a single crystal silicon carbide (SiC) substrate (1) and a step of performing high temperature heating processing on the single crystal silicon carbide (SiC) substrate (1) in which the plasma irradiation is performed.

摘要翻译： 本发明提供一种处理基板的方法和制造碳化硅（SiC）基板的方法，其中当对结晶碳化硅（SiC）基板进行退火处理时，抑制了表面粗糙度的发生。 根据本发明实施例的基板处理方法包括对单晶碳化硅（SiC）基板（1）进行等离子体照射的步骤和对单晶碳化硅（SiC）进行高温加热处理的步骤， 进行等离子体照射的基板（1）。

公开(公告)号：US08187958B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US13234594

申请日：2011-09-16

申请人： Masami Shibagaki ,  Masataka Satoh ,  Akemi Satoh, legal representative ,  Takahiro Sugimoto

发明人： Masami Shibagaki ,  Masataka Satoh ,  Takahiro Sugimoto

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/0445 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  Y10S438/931

摘要： The present invention provides a method of processing a substrate and a method of manufacturing a silicon carbide (SiC) substrate in which, when annealing processing is performed on a crystalline silicon carbide (SiC) substrate, the occurrence of surface roughness is suppressed. A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes a step of performing plasma irradiation on a single crystal silicon carbide (SiC) substrate (1) and a step of performing high temperature heating processing on the single crystal silicon carbide (SiC) substrate (1) in which the plasma irradiation is performed.

摘要翻译： 本发明提供一种处理基板的方法和制造碳化硅（SiC）基板的方法，其中当对结晶碳化硅（SiC）基板进行退火处理时，抑制了表面粗糙度的发生。 根据本发明实施例的基板处理方法包括对单晶碳化硅（SiC）基板（1）进行等离子体照射的步骤和对单晶碳化硅（SiC）进行高温加热处理的步骤， 进行等离子体照射的基板（1）。