公开(公告)号：US07564083B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US10906581

申请日：2005-02-25

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Junbo Chen ,  Ming-Yi Wang

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Junbo Chen ,  Ming-Yi Wang

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： An active pixel sensor is proposed by the invention. The position of the gate of the reset transistor is kept away from the interface of the isolation region and the silicon so that the depletion region does not reach the isolation. Accordingly, dark currents caused by isolation region damages can be avoided.

摘要翻译： 本发明提出一种有源像素传感器。 复位晶体管的栅极的位置远离隔离区域和硅的界面，使得耗尽区域不能达到隔离。 因此，可以避免由隔离区域损坏引起的暗电流。

公开(公告)号：US07518171B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11379228

申请日：2006-04-19

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

摘要： A method for fabricating a photo diode first involves providing a substrate. A doping area is then formed on the substrate. Afterwards, a dielectric layer, and a first poly-silicon layer are formed on the substrate. An opening is then formed to expose a surface of the doping area. A second poly-silicon layer is formed on the first poly-silicon layer and within the opening. The second poly-silicon layer is patterned to form a wire, while the first poly-silicon layer is patterned to form a gate. Finally, a source/drain is formed.

摘要翻译： 首先制造光电二极管的方法包括提供衬底。 然后在衬底上形成掺杂区域。 之后，在基板上形成电介质层和第一多晶硅层。 然后形成开口以暴露掺杂区域的表面。 在第一多晶硅层上和开口内形成第二多晶硅层。 图案化第二多晶硅层以形成导线，同时将第一多晶硅层图案化以形成栅极。 最后，形成源极/漏极。

公开(公告)号：US10299297B2

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：US14870411

申请日：2015-09-30

申请人： Shih-Chao Sheng ,  Ming-Yi Wang ,  Enoch Zhao ,  Huan-Ruei Shiu ,  Chien-Ju Hung

发明人： Shih-Chao Sheng ,  Ming-Yi Wang ,  Enoch Zhao ,  Huan-Ruei Shiu ,  Chien-Ju Hung

IPC分类号： H04W12/06 ,  H04W76/10 ,  H04W84/18 ,  H04W76/12

摘要： A network connection method is used for allowing a portable electronic device to connect to a node in a mesh network environment. The method includes the steps of: searching a plurality of nodes; determining whether there is a specific node in the plural of nodes; if yes, setting the specific node as a bridging point; if not, setting a node with the strongest signal strength in the plurality of nodes as the bridge point; and broadcasting to the other nodes via the bridge point under the mesh network environment.

公开(公告)号：US07863082B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12393048

申请日：2009-02-26

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

摘要： A method for fabricating a photo diode first involves providing a substrate. A doping area is then formed on the substrate. Afterwards, a dielectric layer, and a first poly-silicon layer are formed on the substrate. An opening is then formed to expose a surface of the doping area. A second poly-silicon layer is formed on the first poly-silicon layer and within the opening. The second poly-silicon layer is patterned to form a wire, while the first poly-silicon layer is patterned to form a gate. Finally, a source/drain is formed.

摘要翻译： 首先制造光电二极管的方法包括提供衬底。 然后在衬底上形成掺杂区域。 之后，在基板上形成电介质层和第一多晶硅层。 然后形成开口以暴露掺杂区域的表面。 在第一多晶硅层上和开口内形成第二多晶硅层。 图案化第二多晶硅层以形成导线，同时将第一多晶硅层图案化以形成栅极。 最后，形成源极/漏极。

公开(公告)号：US20090162971A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12393048

申请日：2009-02-26

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

摘要： A method for fabricating a photo diode first involves providing a substrate. A doping area is then formed on the substrate. Afterwards, a dielectric layer, and a first poly-silicon layer are formed on the substrate. An opening is then formed to expose a surface of the doping area. A second poly-silicon layer is formed on the first poly-silicon layer and within the opening. The second poly-silicon layer is patterned to form a wire, while the first poly-silicon layer is patterned to form a gate. Finally, a source/drain is formed.

摘要翻译： 首先制造光电二极管的方法包括提供衬底。 然后在衬底上形成掺杂区域。 之后，在基板上形成电介质层和第一多晶硅层。 然后形成开口以暴露掺杂区域的表面。 在第一多晶硅层上和开口内形成第二多晶硅层。 图案化第二多晶硅层以形成导线，同时将第一多晶硅层图案化以形成栅极。 最后，形成源极/漏极。

公开(公告)号：US07008815B1

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：US10711780

申请日：2004-10-05

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/107 ,  Y02E10/544

摘要： A method of manufacturing a self-aligned guard ring of a photo diode. The method includes defining a photo diode region on a semiconductor substrate and an isolation matter surrounding the photo diode region, forming a photo sensor in the photo diode region, covering a first mask on the photo sensor, forming a spacer around the first mask, covering a second mask on an edge of the isolation matter, and utilizing the first mask, the second mask, and the spacer to form a self-aligned guard ring surrounding the photo sensor.

摘要翻译： 一种制造光电二极管的自对准保护环的方法。 该方法包括在半导体衬底上限定光电二极管区域和围绕光电二极管区域的隔离物质，在光电二极管区域中形成光电传感器，覆盖光电传感器上的第一掩模，在第一掩模周围形成间隔物，覆盖 在隔离物的边缘上的第二掩模，并且利用第一掩模，第二掩模和间隔物以形成围绕光传感器的自对准保护环。

公开(公告)号：US20160302239A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：US14870411

申请日：2015-09-30

申请人： Shih-Chao Sheng ,  Ming-Yi Wang ,  Enoch Zhao ,  Huan-Ruei Shiu ,  Chien-Ju Hung

发明人： Shih-Chao Sheng ,  Ming-Yi Wang ,  Enoch Zhao ,  Huan-Ruei Shiu ,  Chien-Ju Hung

IPC分类号： H04W76/02

CPC分类号： H04W76/10 ,  H04W76/12 ,  H04W84/18

摘要： A network connection module, a computer program, and a network connection method thereof are disclosed. The method is used for allowing a portable electronic device to connect to a node in a mesh network environment. The method includes the steps of: searching a plurality of nodes; determining whether there is a specific node in the plural of nodes; if yes, setting the specific node as a bridging point; if not, setting a node with the strongest signal strength in the plurality of nodes as the bridge point; and broadcasting to the other nodes via the bridge point under the mesh network environment.

摘要翻译： 公开了一种网络连接模块，计算机程序及其网络连接方法。 该方法用于允许便携式电子设备连接到网状网络环境中的节点。 该方法包括以下步骤：搜索多个节点; 确定所述多个节点中是否存在特定节点; 如果是，将特定节点设置为桥接点; 如果不是，则在多个节点中设置具有最强信号强度的节点作为桥点; 并通过网状环境下的桥接点向其他节点广播。

公开(公告)号：US20090308154A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12341577

申请日：2008-12-22

申请人： Ming Yao Dong ,  Yung Lieh Chien ,  Zhi Cheng Chen ,  Ming Yi Wang

发明人： Ming Yao Dong ,  Yung Lieh Chien ,  Zhi Cheng Chen ,  Ming Yi Wang

IPC分类号： G01F23/00

CPC分类号： G01F23/22

摘要： The present invention relates to a fuel cartridge structure with sensor apparatus, comprising a main fuel solution tank provided with a casing with accommodation space, the accommodation space being used for storing the fuel solution; and a sensor apparatus mainly having two sensor components, the two sensor components being disposed on exterior surface or in the structure of the casing of the main fuel solution tank for achieving the objective of measurement.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有传感器装置的燃料盒结构，包括：主燃料溶液箱，其设有具有容纳空间的壳体，该容纳空间用于储存燃料溶液; 以及主要具有两个传感器部件的传感器装置，两个传感器部件设置在主燃料溶液箱的外表面或壳体的结构中，以实现测量目的。

公开(公告)号：US20060192261A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US10906581

申请日：2005-02-25

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Junbo Chen ,  Ming-Yi Wang

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Junbo Chen ,  Ming-Yi Wang

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： An active pixel sensor is proposed by the invention. The position of the gate of the reset transistor is kept away from the interface of the isolation region and the silicon so that the depletion region does not reach the isolation. Accordingly, dark currents caused by isolation region damages can be avoided.

摘要翻译： 本发明提出一种有源像素传感器。 复位晶体管的栅极的位置远离隔离区域和硅的界面，使得耗尽区域不能达到隔离。 因此，可以避免由隔离区域损坏引起的暗电流。

公开(公告)号：US20070249077A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11379228

申请日：2006-04-19

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

摘要： A method for fabricating a photo diode first involves providing a substrate. A doping area is then formed on the substrate. Afterwards, a dielectric layer, and a first poly-silicon layer are formed on the substrate. An opening is then formed to expose a surface of the doping area. A second poly-silicon layer is formed on the first poly-silicon layer and within the opening. The second poly-silicon layer is patterned to form a wire, while the first poly-silicon layer is patterned to form a gate. Finally, a source/drain is formed.

摘要翻译： 首先制造光电二极管的方法包括提供衬底。 然后在衬底上形成掺杂区域。 之后，在基板上形成电介质层和第一多晶硅层。 然后形成开口以暴露掺杂区域的表面。 在第一多晶硅层上和开口内形成第二多晶硅层。 图案化第二多晶硅层以形成导线，同时将第一多晶硅层图案化以形成栅极。 最后，形成源极/漏极。