公开(公告)号：US07564083B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US10906581

申请日：2005-02-25

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Junbo Chen ,  Ming-Yi Wang

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Junbo Chen ,  Ming-Yi Wang

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： An active pixel sensor is proposed by the invention. The position of the gate of the reset transistor is kept away from the interface of the isolation region and the silicon so that the depletion region does not reach the isolation. Accordingly, dark currents caused by isolation region damages can be avoided.

摘要翻译： 本发明提出一种有源像素传感器。 复位晶体管的栅极的位置远离隔离区域和硅的界面，使得耗尽区域不能达到隔离。 因此，可以避免由隔离区域损坏引起的暗电流。

公开(公告)号：US07518171B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11379228

申请日：2006-04-19

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

摘要： A method for fabricating a photo diode first involves providing a substrate. A doping area is then formed on the substrate. Afterwards, a dielectric layer, and a first poly-silicon layer are formed on the substrate. An opening is then formed to expose a surface of the doping area. A second poly-silicon layer is formed on the first poly-silicon layer and within the opening. The second poly-silicon layer is patterned to form a wire, while the first poly-silicon layer is patterned to form a gate. Finally, a source/drain is formed.

摘要翻译： 首先制造光电二极管的方法包括提供衬底。 然后在衬底上形成掺杂区域。 之后，在基板上形成电介质层和第一多晶硅层。 然后形成开口以暴露掺杂区域的表面。 在第一多晶硅层上和开口内形成第二多晶硅层。 图案化第二多晶硅层以形成导线，同时将第一多晶硅层图案化以形成栅极。 最后，形成源极/漏极。

公开(公告)号：US20060192261A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US10906581

申请日：2005-02-25

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Junbo Chen ,  Ming-Yi Wang

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Junbo Chen ,  Ming-Yi Wang

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： An active pixel sensor is proposed by the invention. The position of the gate of the reset transistor is kept away from the interface of the isolation region and the silicon so that the depletion region does not reach the isolation. Accordingly, dark currents caused by isolation region damages can be avoided.

摘要翻译： 本发明提出一种有源像素传感器。 复位晶体管的栅极的位置远离隔离区域和硅的界面，使得耗尽区域不能达到隔离。 因此，可以避免由隔离区域损坏引起的暗电流。

公开(公告)号：US20070249077A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11379228

申请日：2006-04-19

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

摘要： A method for fabricating a photo diode first involves providing a substrate. A doping area is then formed on the substrate. Afterwards, a dielectric layer, and a first poly-silicon layer are formed on the substrate. An opening is then formed to expose a surface of the doping area. A second poly-silicon layer is formed on the first poly-silicon layer and within the opening. The second poly-silicon layer is patterned to form a wire, while the first poly-silicon layer is patterned to form a gate. Finally, a source/drain is formed.

摘要翻译： 首先制造光电二极管的方法包括提供衬底。 然后在衬底上形成掺杂区域。 之后，在基板上形成电介质层和第一多晶硅层。 然后形成开口以暴露掺杂区域的表面。 在第一多晶硅层上和开口内形成第二多晶硅层。 图案化第二多晶硅层以形成导线，同时将第一多晶硅层图案化以形成栅极。 最后，形成源极/漏极。

公开(公告)号：US07863082B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12393048

申请日：2009-02-26

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

摘要： A method for fabricating a photo diode first involves providing a substrate. A doping area is then formed on the substrate. Afterwards, a dielectric layer, and a first poly-silicon layer are formed on the substrate. An opening is then formed to expose a surface of the doping area. A second poly-silicon layer is formed on the first poly-silicon layer and within the opening. The second poly-silicon layer is patterned to form a wire, while the first poly-silicon layer is patterned to form a gate. Finally, a source/drain is formed.

摘要翻译： 首先制造光电二极管的方法包括提供衬底。 然后在衬底上形成掺杂区域。 之后，在基板上形成电介质层和第一多晶硅层。 然后形成开口以暴露掺杂区域的表面。 在第一多晶硅层上和开口内形成第二多晶硅层。 图案化第二多晶硅层以形成导线，同时将第一多晶硅层图案化以形成栅极。 最后，形成源极/漏极。

公开(公告)号：US20090162971A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12393048

申请日：2009-02-26

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14683 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

摘要： A method for fabricating a photo diode first involves providing a substrate. A doping area is then formed on the substrate. Afterwards, a dielectric layer, and a first poly-silicon layer are formed on the substrate. An opening is then formed to expose a surface of the doping area. A second poly-silicon layer is formed on the first poly-silicon layer and within the opening. The second poly-silicon layer is patterned to form a wire, while the first poly-silicon layer is patterned to form a gate. Finally, a source/drain is formed.

摘要翻译： 首先制造光电二极管的方法包括提供衬底。 然后在衬底上形成掺杂区域。 之后，在基板上形成电介质层和第一多晶硅层。 然后形成开口以暴露掺杂区域的表面。 在第一多晶硅层上和开口内形成第二多晶硅层。 图案化第二多晶硅层以形成导线，同时将第一多晶硅层图案化以形成栅极。 最后，形成源极/漏极。

公开(公告)号：US07008815B1

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：US10711780

申请日：2004-10-05

申请人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

发明人： Jhy-Jyi Sze ,  Ming-Yi Wang ,  Junbo Chen

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/107 ,  Y02E10/544

摘要： A method of manufacturing a self-aligned guard ring of a photo diode. The method includes defining a photo diode region on a semiconductor substrate and an isolation matter surrounding the photo diode region, forming a photo sensor in the photo diode region, covering a first mask on the photo sensor, forming a spacer around the first mask, covering a second mask on an edge of the isolation matter, and utilizing the first mask, the second mask, and the spacer to form a self-aligned guard ring surrounding the photo sensor.

摘要翻译： 一种制造光电二极管的自对准保护环的方法。 该方法包括在半导体衬底上限定光电二极管区域和围绕光电二极管区域的隔离物质，在光电二极管区域中形成光电传感器，覆盖光电传感器上的第一掩模，在第一掩模周围形成间隔物，覆盖 在隔离物的边缘上的第二掩模，并且利用第一掩模，第二掩模和间隔物以形成围绕光传感器的自对准保护环。

公开(公告)号：US08994082B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13250856

申请日：2011-09-30

申请人： Feng-Chi Hung ,  Jhy-Jyi Sze ,  Shou-Gwo Wuu

发明人： Feng-Chi Hung ,  Jhy-Jyi Sze ,  Shou-Gwo Wuu

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L27/146 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/14616 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

摘要： Transistors, methods of manufacturing thereof, and image sensor circuits with reduced random telegraph signal (RTS) noise are disclosed. In one embodiment, a transistor includes a channel disposed between two isolation regions in a workpiece. The channel has edge regions proximate the isolation regions and a central region between the edge regions. The transistor includes a gate dielectric disposed over the channel, and a gate disposed over the gate dielectric. The transistor includes a voltage threshold modification feature proximate the edge regions configured to increase a voltage threshold of the transistor proximate edge regions relative to the central region of the channel.

摘要翻译： 公开了晶体管，其制造方法和具有减少的随机电报信号（RTS）噪声的图像传感器电路。 在一个实施例中，晶体管包括设置在工件中的两个隔离区域之间的通道。 通道具有靠近隔离区域的边缘区域和边缘区域之间的中心区域。 晶体管包括设置在通道上方的栅极电介质和设置在栅极电介质上的栅极。 晶体管包括靠近边缘区域的电压阈值修改特征，其被配置成相对于通道的中心区域增加晶体管的边缘区域的电压阈值。

公开(公告)号：US07776676B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11954194

申请日：2007-12-11

申请人： Jhy-Jyi Sze

发明人： Jhy-Jyi Sze

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： A method of fabricating a complementary metal-oxide-semiconductor image sensor is provided. First, a substrate having a photo sensitive region and a transistor device region is provided. A p type well in the substrate of the transistor device region is formed. A dielectric layer and an un-doped polysilicon layer on the substrate are sequentially formed. A n type polysilicon layer on a first portion of the transistor device region and a p type polysilicon layer on the photo sensitive region and on a second portion of the transistor device region are formed. The dielectric layer, the n type polysilicon layer and the p type polysilicon layer are patterned to form a plurality of n type gate structures and a p type gate structure on the p type well of the transistor device region. A photo sensitive diode is formed in the substrate of the photo sensitive region.

摘要翻译： 提供一种制造互补金属氧化物半导体图像传感器的方法。 首先，提供具有光敏区域和晶体管器件区域的衬底。 形成在晶体管器件区域的衬底中的p型阱。 依次形成基板上的介质层和未掺杂多晶硅层。 形成晶体管器件区域的第一部分上的n型多晶硅层和在光敏区域和晶体管器件区域的第二部分上的p型多晶硅层。 图案化电介质层，n型多晶硅层和p型多晶硅层，以在晶体管器件区域的p型阱上形成多个n型栅极结构和p型栅极结构。 光敏二极管形成在感光区的基板中。

公开(公告)号：US20100073528A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12236492

申请日：2008-09-23

申请人： Yuan-Che Lee ,  Jhy-Jyi Sze ,  Chiao-Fu Chang ,  Tsung-Chien Wu

发明人： Yuan-Che Lee ,  Jhy-Jyi Sze ,  Chiao-Fu Chang ,  Tsung-Chien Wu

IPC分类号： H04N5/52 ,  H04N5/20

CPC分类号： H04N5/365 ,  H04N5/243

摘要： A method of generating a gain of an image frame according to a look up table of gain which is set up based on luminance sensitivity of human eyes is proposed. The method includes setting a gain of an image frame to 1, scanning images of a plurality of front rows of the image frame, averaging the images of the plurality of the front rows of the image frame to generate an average value of the images of the plurality of the front rows of the image frame, finding a gain from the look up table of gain according to the average value of the images of the plurality of the front rows of the image frame, and adjusting remaining rows of the image frame according to the gain to generate images of the remaining rows of the image frame.

摘要翻译： 提出了根据基于人眼的亮度灵敏度设置的增益查找表生成图像帧的增益的方法。 该方法包括将图像帧的增益设置为1，扫描图像帧的多个前排的图像，对图像帧的多个前行的图像进行平均，以生成图像的图像的平均值 多个图像帧的前排，根据图像帧的多个前排的图像的平均值，从增益的查找表中找到增益，并根据图像帧的剩余行调整 生成图像帧的剩余行的图像的增益。