公开(公告)号：US6153361A

公开(公告)日：2000-11-28

申请号：US236922

申请日：1999-01-25

申请人： Ming-Hua Liu ,  Chuck Chen ,  Shu-Ping Lin ,  Eddie Chen ,  Ming-Tzong Yung

发明人： Ming-Hua Liu ,  Chuck Chen ,  Shu-Ping Lin ,  Eddie Chen ,  Ming-Tzong Yung

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  G03C5/00 ,  C23F1/02 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02052 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/3057 ,  G03F7/40 ,  H01L21/67075

摘要： A method of removing photoresist at the edge of waters in an integrated circuit the method comprising the following steps. A substrate having at least a MOS component region thereabove is provided. A photoresist layer is formed over the substrate. A pattern is defined on the photoresist layer by exposure and development. The photoresist layer at the edge of the substrate is removed by a chemical reagent and centrifugal effect.

摘要翻译： 一种在集成电路中的水边缘去除光致抗蚀剂的方法，该方法包括以下步骤。 提供了具有至少MOS分量区域的基板。 在衬底上形成光致抗蚀剂层。 通过曝光和显影在光致抗蚀剂层上限定图案。 通过化学试剂和离心效应除去衬底边缘处的光致抗蚀剂层。