公开(公告)号：US09236341B1

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US12868529

申请日：2010-08-25

申请人： Dong W. Kim ,  Myung-June Lee ,  Suresh Ramalingam

发明人： Dong W. Kim ,  Myung-June Lee ,  Suresh Ramalingam

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： A silicon interposer includes a plurality of patterned metal layers formed on a silicon wafer portion and a plurality of through-silicon vias extending through the silicon wafer portion. The through-silicon vias have an interdiffusion conductive element.

摘要翻译： 硅插入件包括形成在硅晶片部分上的多个图案化金属层和延伸穿过硅晶片部分的多个穿硅通孔。 穿硅通孔具有相互扩散的导电元件。