公开(公告)号：US08241519B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12724832

申请日：2010-03-16

申请人： Jun Luo ,  Wesley S. Hackenberger ,  Shujun Zhang ,  Richard J. Meyer, Jr. ,  Thomas R. Shrout ,  Nevin P. Sherlock

发明人： Jun Luo ,  Wesley S. Hackenberger ,  Shujun Zhang ,  Richard J. Meyer, Jr. ,  Thomas R. Shrout ,  Nevin P. Sherlock

IPC分类号： C04B35/00 ,  H01L41/18 ,  H01L41/00

CPC分类号： C30B29/32 ,  C30B11/00 ,  C30B29/30 ,  H01L41/18 ,  H01L41/41

摘要： A domain engineered relaxor-PT single crystals having a dielectric loss of about 0.2%, a high electromechanical coupling factor greater than about 85%, and high mechanical quality factor greater than about 500 is disclosed. In one embodiment, the relaxor-PT material has the general formula, Pb(B1B2)O3—Pb(B3)O3, where B1 may be one ion or combination of Mg2+, Zn2+, Ni2+, Sc3+, In3+, Yb3+, B2 may be one ion or combination of Nb5+, Ta5+, W6+, and B3 may be Ti4+ or combination of Ti4+ with Zr4+ and/or Hf4+.

摘要翻译： 公开了具有约0.2％的介电损耗，大于约85％的高机电耦合系数以及大于约500的高机械品质因数的110框架设计的弛豫-PT单晶。 在一个实施方案中，弛豫-PT材料具有通式Pb（B1B2）O3-Pb（B3）O3，其中B1可以是一个离子或Mg2 +，Zn2 +，Ni2 +，Sc3 +，In3 +，Yb3 +，B2的组合可以是 Nb5 +，Ta5 +，W6 +和B3的一种离子或组合可以是Ti4 +或Ti4 +与Zr4 +和/或Hf4 +的组合。

公开(公告)号：US20110017937A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12724832

申请日：2010-03-16

申请人： Jun LUO ,  Wesley S. HACKENBERGER ,  Shujun ZHANG ,  Richard J. MEYER, JR. ,  Thomas R. SHROUT ,  Nevin P. SHERLOCK

发明人： Jun LUO ,  Wesley S. HACKENBERGER ,  Shujun ZHANG ,  Richard J. MEYER, JR. ,  Thomas R. SHROUT ,  Nevin P. SHERLOCK

IPC分类号： H01L41/18 ,  C30B11/00

CPC分类号： C30B29/32 ,  C30B11/00 ,  C30B29/30 ,  H01L41/18 ,  H01L41/41

摘要： A domain engineered relaxor-PT single crystals having a dielectric loss of about 0.2%, a high electromechanical coupling factor greater than about 85%, and high mechanical quality factor greater than about 500 is disclosed. In one embodiment, the relaxor-PT material has the general formula, Pb(B1B2)O3—Pb(B3)O3, where B1 may be one ion or combination of Mg2+, Zn2+, Ni2+, Sc3+, In3+, Yb3+, B2 may be one ion or combination of Nb5+, Ta5+, W6+, and B3 may be Ti4+ or combination of Ti4+ with Zr4+ and/or Hf4+.

摘要翻译： 公开了具有约0.2％的介电损耗，大于约85％的高机电耦合系数以及大于约500的高机械品质因数的110框架设计的弛豫-PT单晶。 在一个实施方案中，弛豫-PT材料具有通式Pb（B1B2）O3-Pb（B3）O3，其中B1可以是一个离子或Mg2 +，Zn2 +，Ni2 +，Sc3 +，In3 +，Yb3 +，B2的组合可以是 Nb5 +，Ta5 +，W6 +和B3的一种离子或组合可以是Ti4 +或Ti4 +与Zr4 +和/或Hf4 +的组合。