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    Self-lubricating layer for data storage devices
    1.
    发明授权
    Self-lubricating layer for data storage devices 失效
    用于数据存储设备的自润滑层

    公开(公告)号：US06677105B2

    公开(公告)日：2004-01-13

    申请号：US09848589

    申请日：2001-05-04

    申请人： Po Wen Wang ,  Evan F. Cromwell ,  Olu Atanda

    发明人： Po Wen Wang ,  Evan F. Cromwell ,  Olu Atanda

    IPC分类号： G11B1100

    CPC分类号： G11B11/10586 ,  G06K19/077 ,  G11B5/653 ,  G11B5/725 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8408 ,  G11B7/122 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2532 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2548 ,  G11B7/2585 ,  G11B11/10584 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25417 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715 ,  Y10S430/146

    摘要： A silicon nitride self-lubricating layer forms the upper surface of a data storage device, such as a rotating disk or a non-rotating memory device, e.g., a credit card-type memory device using a memory strip. The silicon nitride self-lubricating layer can replace the carbon protective overcoat and liquid lubricant used in conventional data storage devices. The silicon nitride self-lubrication layer provides the desired lubrication and protection between the slider and the data storage device. The silicon nitride layer also will not evaporate under high temperatures found in an optical data storage system. In addition, a data storage device may include a plastic polymer layer over which an iron oxide material is deposited. The use of a plastic polymer layer and iron oxide recording layer is particularly advantageous because a low temperature deposition process can be used with the iron oxide material.

    摘要翻译： 氮化硅自润滑层形成数据存储装置的上表面，例如旋转盘或非旋转存储装置，例如使用存储条的信用卡型存储装置。 氮化硅自润滑层可以代替常规数据存储装置中使用的碳保护外涂层和液体润滑剂。 氮化硅自润滑层在滑块和数据存储装置之间提供期望的润滑和保护。 氮化硅层也不会在光学数据存储系统中发现的高温下蒸发。 此外，数据存储装置可以包括沉积氧化铁材料的塑料聚合物层。 使用塑料聚合物层和氧化铁记录层是特别有利的，因为可以与氧化铁材料一起使用低温沉积工艺。