公开(公告)号：US5824601A

公开(公告)日：1998-10-20

申请号：US885265

申请日：1997-06-30

申请人： Patrick P. H. Dao ,  Paul William Dryer ,  Ping-Chang Lue ,  Michael J. Davison ,  Terry Andrew Willett ,  Margaret Leslie Kniffin ,  Rita Prasad Subrahmanyan

发明人： Patrick P. H. Dao ,  Paul William Dryer ,  Ping-Chang Lue ,  Michael J. Davison ,  Terry Andrew Willett ,  Margaret Leslie Kniffin ,  Rita Prasad Subrahmanyan

IPC分类号： C09K13/08 ,  H01L21/311 ,  B44C1/22

CPC分类号： C09K13/08 ,  H01L21/31111 ,  Y10S438/911

摘要： A sacrificial oxide etching solution of carboxylic acid and HF having a high etch selectivity for silicon oxide relative to polysilicon, metal, and nitride. The solution is useful in the fabrication of microstructures having integrated electronics on the same chip. A carboxylic acid anhydride can be added to this solution to substantially remove all free water so that the etch selectivity to metal is improved. One specific solution is formed by mixing acetic acid, acetic anhydride, and aqueous HF.

摘要翻译： 对于氧化硅相对于多晶硅，金属和氮化物具有高蚀刻选择性的羧酸和HF的牺牲氧化物蚀刻溶液。 该解决方案可用于在同一芯片上制造具有集成电子元件的微结构。 可以向该溶液中加入羧酸酐以基本上除去所有游离水，从而改善对金属的蚀刻选择性。 通过混合乙酸，乙酸酐和HF水溶液形成一种具体的溶液。