公开(公告)号：US5519247A

公开(公告)日：1996-05-21

申请号：US313078

申请日：1994-10-25

Applicant: Richard Arbus ,  Kjell Bohlin ,  Paul Stephanson ,  Jonas Tiren

Inventor： Richard Arbus ,  Kjell Bohlin ,  Paul Stephanson ,  Jonas Tiren

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/144 ,  H01L31/10 ,  H01L31/075 ,  H01L31/105 ,  H01L31/117

CPC classification number: H01L27/1443

Abstract: A detector circuit, for example for optical radiation, has a detector diode (20) and an amplifier circuit (30) integrated with the diode in the same silicon wafer for amplification of the diode signal. The diode is designed as a lateral diode. The diode and the amplifier circuit are both produced in a homogeneously weakly doped silicon wafer (1).

Abstract translation: PCT No.PCT / SE93 / 00278 Sec。 371日期：1994年10月25日 102（e）日期1994年10月25日PCT提交1993年4月1日PCT公布。 出版物WO93 / 20588 日期为1993年10月14日。例如用于光辐射的检测器电路具有检测器二极管（20）和与同一硅晶片中的二极管集成的用于放大二极管信号的放大器电路（30）。 二极管被设计为侧向二极管。 二极管和放大器电路均在均匀弱掺杂的硅晶片（1）中产生。