公开(公告)号：US06967350B2

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：US10116497

申请日：2002-04-02

申请人： Peter J. Frick ,  Andrew Koll ,  James Stasiak ,  Andrew L. Van Brocklin ,  Lung T. Tran

发明人： Peter J. Frick ,  Andrew Koll ,  James Stasiak ,  Andrew L. Van Brocklin ,  Lung T. Tran

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C17/18 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L27/224 ,  G11C17/18 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226

摘要： A memory structure that includes a first electrode, a second electrode, a third electrode, a control element of a predetermined device type disposed between the first electrode and the second electrode, and a memory storage element of the predetermined device type disposed between the second electrode and the third electrode. The memory storage element has a cross-sectional area that is less than a cross-sectional area of the control element.

摘要翻译： 一种存储器结构，包括第一电极，第二电极，第三电极，设置在第一电极和第二电极之间的预定器件类型的控制元件，以及设置在第二电极之间的预定器件类型的存储器元件 和第三电极。 存储器存储元件具有小于控制元件的横截面面积的横截面积。