公开(公告)号：US20080237705A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11997209

申请日：2006-08-02

申请人： Stephan Jo Cecile Henri Theeuwen ,  Freerk Van Rijs ,  Petra C.A. Hammes

发明人： Stephan Jo Cecile Henri Theeuwen ,  Freerk Van Rijs ,  Petra C.A. Hammes

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/41758 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/53219 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The LDMOS transistor (1) of the invention comprises a substrate (2), a gate electrode (10), a substrate contact region (11), a source region (3), a channel region (4) and a drain region (5), which drain region (5) comprises a drain contact region (6) and drain extension region (7). The drain contact region (6) is electrically connected to a top metal layer (23), which extends over the drain extension region (7), with a distance (723) between the top metal layer (23) and the drain extension region (7) that is larger than 2μm. This way the area of the drain contact region (6) may be reduced and the RF power output efficiency of the LDMOS transistor (1) increased. In another embodiment the source region (3) is electrically connected to the substrate contact region (11) via a suicide layer (32) instead of a first metal layer (21), thereby reducing the capacitive coupling between the source region (3) and the drain region (5) and hence increasing the RF power output efficiency of the LDMOS transistor (1) further.

摘要翻译： 本发明的LDMOS晶体管（1）包括基板（2），栅极电极（10），基板接触区域（11），源极区域（3），沟道区域（4）和漏极区域 ），该漏极区（5）包括漏极接触区（6）和漏极延伸区（7）。 漏极接触区域（6）电连接到在漏极延伸区域（7）上延伸的顶部金属层（23），顶部金属层（23）和漏极延伸区域（23）之间的距离（723） 7）大于2mum。 这样可以减小漏极接触区域（6）的面积，并且增加LDMOS晶体管（1）的RF功率输出效率。 在另一个实施例中，源极区（3）经由硅化物层（32）而不是第一金属层（21）电连接到衬底接触区（11），从而减小源区（3）和 漏极区域（5），从而进一步提高LDMOS晶体管（1）的RF功率输出效率。

公开(公告)号：US20090267147A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12297104

申请日：2007-04-11

申请人： Johannes A. M. De Boet ,  Josephus H. B. Van Der Zanden ,  Petra C.A. Hammes

发明人： Johannes A. M. De Boet ,  Josephus H. B. Van Der Zanden ,  Petra C.A. Hammes

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0266 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/7835

摘要： The electronic device comprising a RF transistor (100) that is designed for a fundamental RF frequency and that is integrated with an electrostatic protection structure (250) with a further transistor (200). The transistors are suitably MOS transistors, with a gate, source and drain electrodes, and wherein the sources are coupled to a grounded substrate region. The drain region of the further transistor is coupled to the gate of the RF transistor (100), giving rise to a parasitic diode (300) between the drain region of the further transistor and the grounded substrate region under application of a certain input voltage. A filter (350) is present for filtering the fundamental RF frequency from the parasitic diode (300).

摘要翻译： 该电子设备包括被设计用于基本RF频率并且与静电保护结构（250）与另外的晶体管（200）集成的RF晶体管（100）。 晶体管是合适的具有栅极，源极和漏极的MOS晶体管，并且其中源极耦合到接地的衬底区域。 另外的晶体管的漏极区域耦合到RF晶体管（100）的栅极，在施加一定的输入电压时，在另一个晶体管的漏极区域和接地的衬底区域之间产生寄生二极管（300）。 存在用于从寄生二极管（300）滤波基波RF频率的滤波器（350）。