公开(公告)号：US20090267147A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12297104

申请日：2007-04-11

申请人： Johannes A. M. De Boet ,  Josephus H. B. Van Der Zanden ,  Petra C.A. Hammes

发明人： Johannes A. M. De Boet ,  Josephus H. B. Van Der Zanden ,  Petra C.A. Hammes

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0266 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/7835

摘要： The electronic device comprising a RF transistor (100) that is designed for a fundamental RF frequency and that is integrated with an electrostatic protection structure (250) with a further transistor (200). The transistors are suitably MOS transistors, with a gate, source and drain electrodes, and wherein the sources are coupled to a grounded substrate region. The drain region of the further transistor is coupled to the gate of the RF transistor (100), giving rise to a parasitic diode (300) between the drain region of the further transistor and the grounded substrate region under application of a certain input voltage. A filter (350) is present for filtering the fundamental RF frequency from the parasitic diode (300).

摘要翻译： 该电子设备包括被设计用于基本RF频率并且与静电保护结构（250）与另外的晶体管（200）集成的RF晶体管（100）。 晶体管是合适的具有栅极，源极和漏极的MOS晶体管，并且其中源极耦合到接地的衬底区域。 另外的晶体管的漏极区域耦合到RF晶体管（100）的栅极，在施加一定的输入电压时，在另一个晶体管的漏极区域和接地的衬底区域之间产生寄生二极管（300）。 存在用于从寄生二极管（300）滤波基波RF频率的滤波器（350）。

公开(公告)号：US20100188147A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12675849

申请日：2008-09-02

申请人： Igor Blednov ,  Josephus H. B. Van Der Zanden

发明人： Igor Blednov ,  Josephus H. B. Van Der Zanden

IPC分类号： H03F3/68

CPC分类号： H03F1/0288 ,  H03F1/08 ,  H03F2200/408

摘要： An electronic circuit has a multi-way Doherty amplifier. The multi-way Doherty amplifier comprises a two-way Doherty amplifier with a main stage and a first peak stage that are integrated in a semiconductor device; and at least one further peak stage implemented with a discrete power transistor.

摘要翻译： 电子电路具有多路Doherty放大器。 多路Doherty放大器包括集成在半导体器件中的具有主级和第一峰值级的双向Doherty放大器; 以及用分立功率晶体管实现的至少一个另外的峰值级。

公开(公告)号：US09325280B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US12675849

申请日：2008-09-02

申请人： Igor Blednov ,  Josephus H. B. Van Der Zanden

发明人： Igor Blednov ,  Josephus H. B. Van Der Zanden

IPC分类号： H03F3/68 ,  H03F1/02 ,  H03F1/08

CPC分类号： H03F1/0288 ,  H03F1/08 ,  H03F2200/408

摘要： An electronic circuit has a multi-way Doherty amplifier. The multi-way Doherty amplifier comprises a two-way Doherty amplifier with a main stage and a first peak stage that are integrated in a semiconductor device; and at least one further peak stage implemented with a discrete power transistor.

摘要翻译： 电子电路具有多路Doherty放大器。 多路Doherty放大器包括集成在半导体器件中的具有主级和第一峰值级的双向Doherty放大器; 以及用分立功率晶体管实现的至少一个另外的峰值级。