公开(公告)号：US20120028448A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13248394

申请日：2011-09-29

申请人： Aref Chowdhury ,  Hock Ng ,  Richart Elliot Slusher

发明人： Aref Chowdhury ,  Hock Ng ,  Richart Elliot Slusher

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： B82Y20/00 ,  B81B1/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B2006/12035 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30612

摘要： A fabrication method produces a mechanically patterned layer of group III-nitride. The method includes providing a crystalline substrate and forming a first layer of a first group III-nitride on a planar surface of the substrate. The first layer has a single polarity and also has a pattern of holes or trenches that expose a portion of the substrate. The method includes then, epitaxially growing a second layer of a second group III-nitride over the first layer and the exposed portion of substrate. The first and second group III-nitrides have different alloy compositions. The method also includes subjecting the second layer to an aqueous solution of base to mechanically pattern the second layer.

摘要翻译： 制造方法产生III族氮化物的机械图案化层。 该方法包括提供晶体衬底并在衬底的平坦表面上形成第一III族氮化物的第一层。 第一层具有单一极性，并且还具有露出基板的一部分的孔或沟槽的图案。 该方法包括在第一层和衬底的暴露部分上外延生长第二III族氮化物层的第二层。 第一和第二III族氮化物具有不同的合金组成。 该方法还包括使第二层经受基底水溶液以机械地图形化第二层。