公开(公告)号：US07476604B1

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11128391

申请日：2005-05-13

申请人： Ning Cheng ,  Minh Van Ngo ,  Jinsong Yin ,  Paul Raymond Besser ,  Connie Pin-chin Wang ,  Russell Rosaire Austin Callahan ,  Jeffrey Shields ,  Shankar Sinha ,  Jeff P. Erhardt ,  Jeremy Chi-Hung Chou

发明人： Ning Cheng ,  Minh Van Ngo ,  Jinsong Yin ,  Paul Raymond Besser ,  Connie Pin-chin Wang ,  Russell Rosaire Austin Callahan ,  Jeffrey Shields ,  Shankar Sinha ,  Jeff P. Erhardt ,  Jeremy Chi-Hung Chou

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855

摘要： A method of forming a contact through a material includes forming a via through a dielectric material and cleaning the via using a dilute hydrofluoric (DHF) acid solution. The method further includes depositing a barrier layer within the via and depositing metal adjacent the barrier layer.

摘要翻译： 通过材料形成接触的方法包括通过电介质材料形成通孔，并使用稀氢氟酸（DHF）酸溶液清洗通孔。 所述方法还包括在所述通孔内沉积阻挡层并在所述阻挡层附近沉积金属。