公开(公告)号：US06899596B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10121370

申请日：2002-04-12

申请人： Michael Antonell ,  Jennifer A. Antonell ,  Erik Cho Houge ,  Ryan Keith Maynard ,  Darrell L. Simpson

发明人： Michael Antonell ,  Jennifer A. Antonell ,  Erik Cho Houge ,  Ryan Keith Maynard ,  Darrell L. Simpson

IPC分类号： B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C09K13/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B24B1/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) process using a chemically active slurry having a polarity selected to affect the relative oxidation rates of respective crystalline planes of a polycrystalline surface being polished. The slurry polarity is controlled to equilibrate the material removal rates from the respective crystalline planes during the CMP process. A polar solute may be added to a base solvent to achieve the desired polarity. A CMP process for a tungsten film may utilize a water-based slurry containing an abrasive agent, an oxidizing agent, and a solute having a polarity less than that of water. The abrasive agent may be colloidal silica, the oxidizing agent may be hydrogen peroxide, and the solute may be benzene.

摘要翻译： 使用具有极性的化学活性浆料的化学机械抛光（CMP）方法，其选择为影响被抛光的多晶表面的各个晶面的相对氧化速率。 控制浆料极性以在CMP过程期间平衡来自相应结晶平面的材料去除速率。 可以将极性溶质加入到碱性溶剂中以获得所需的极性。 用于钨膜的CMP方法可以使用含有研磨剂，氧化剂和极性小于水的极性溶质的水基浆料。 研磨剂可以是胶体二氧化硅，氧化剂可以是过氧化氢，溶质可以是苯。